[实用新型]化学气相沉积装置

说明书

本实用新型提供了一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。

技术领域

本实用新型总体来说涉及化学气相沉积领域，具体而言，涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)主要是通过将气相化合物引入至腔室，并通过碰撞，裂解，吸附，发生化学反应从而在基底上成核，生长并形成薄膜。反应物及其中间体在腔室中可能出现在基底或者气相中。

石墨烯是一种由sp²碳原子构成的二维原子晶体材料，其具有优异的电学及光学性质等，自其发现以来就广受学界及产业界的关注。但是，利用CVD生长石墨烯薄膜的过程中会出现一些无定形碳污染物沉积在石墨烯薄膜表面，从而影响了石墨烯的电学、力学、光学等性质。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够生长洁净度较高的石墨烯薄膜的化学气相沉积装置。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。所述第一腔室和所述第二腔室用于所述薄膜材料的生长或后处理；过渡腔室通过隔离件分别连通于所述第一腔室和所述第二腔室；底盘用于装载生长衬底；传送机构被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，以及在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

根据本实用新型的一实施方式，所述传送机构包括设置于所述过渡腔室内的第一传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，以及在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

根据本实用新型的一实施方式，所述过渡腔室、所述第一腔室和所述第二腔室呈线性设置且所述过渡腔室设于所述第一腔室和所述第二腔室之间；

所述传送机构包括第一传送组件和第二传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第二传送组件被配置为在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

根据本实用新型的一实施方式，所述第一腔室与所述第二腔室相邻设置。

根据本实用新型的一实施方式，所述传送机构包括设置于所述过渡腔室内的第一传送组件、第二传送组件以及第三传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第二传送组件被配置为在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第三传送组件被配置为在所述第一传送组件和所述第二传送组件之间传送所述底盘。

根据本实用新型的一实施方式，所述第一传送组件、第二传送组件以及第三传送组件的外壁涂覆耐磨涂层，或所述第一传送组件、所述第二传送组件以及所述第三传送组件由耐磨材质制成。

根据本实用新型的一实施方式，还包括控制系统，所述控制系统包括温度控制模块、气体流量控制模块、传送控制模块以及压力控制模块。

根据本实用新型的一实施方式，还包括真空系统，所述真空系统包括真空管路、干泵组、截止阀、减压阀、泄压阀以及压力调节阀。

根据本实用新型的一实施方式，所述第一腔室和/或所述第二腔室为卧式石英管反应器。