[实用新型]一种压接型IGBT的封装结构有效
申请号: | 201920151824.7 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN209249451U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 邓二平;任斌;李安琦;张一鸣;赵志斌;黄永章 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 程华 |
地址: | 100000 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热装置 弹性元件 铜片 支撑片 封装结构 压接 本实用新型 表面压力 弹力传递 电子器件 结构产生 热量传递 芯片表面 压力差 散热 发热 贯穿 支撑 | ||
1.一种压接型IGBT的封装结构,其特征在于,包括:
第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构;
所述第一支撑片设置在所述散热装置上,所述第一支撑片用于支撑安装于所述压接型IGBT的封装结构上的电子器件;
所述散热装置设置在所述第一支撑片与所述铜片之间,所述散热装置用于对所述IGBT芯片结构散热;
所述弹性元件贯穿设置在所述散热装置内部,所述弹性元件一端与所述第一支撑片连接,另一端与所述铜片连接;所述弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差;
所述铜片设置在所述散热装置与所述IGBT芯片结构之间,所述铜片用于将所述IGBT芯片结构产生的热量传递至所述散热装置,所述铜片还用于将所述弹性元件的弹力传递至所述IGBT芯片结构。
2.根据权利要求1所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述散热装置,具体包括:
散热壳体、第一散热板、第二散热板和多个通道;
所述第一散热板和所述第二散热板位于所述散热壳体内部;
所述第一散热板上设置有多个第一通孔;所述第二散热板上设置有多个第二通孔;所述第一通孔在所述第一散热板的位置与所述第二通孔在所述第二散热板的位置相同;所述通道一端连接所述第一通孔,所述通道的另一端连接与所述第一通孔位置对应的所述第二通孔;所述第一通孔的个数、所述第二通孔的个数、所述通道的个数均相同;所述弹性元件穿过所述通道一端与所述第一支撑片连接,另一端与所述IGBT芯片结构连接;
所述散热壳体包括散热壳体顶盖和散热壳体侧壁,所述散热壳体侧壁环绕在所述散热壳体顶盖的边缘;所述散热壳体顶盖中部设有一顶盖通孔,所述第一支撑片嵌入在所述顶盖通孔上;所述第一散热板设置在所述顶盖下表面,所述第一散热板的边缘与所述散热壳体的侧壁紧密贴合在一起;所述第二散热板的边缘与所述散热壳体的侧壁紧密贴合在一起;所述散热壳体的侧壁设有入水口和出水口;水流经过所述入水口进入所述第一散热板与所述第二散热板形成的空隙中,并从所述出水口流出。
3.根据权利要求1所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述弹性元件为弹簧。
4.根据权利要求2所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述IGBT芯片结构,具体包括:
IGBT芯片模块组、钼基底和铜基底;
所述IGBT芯片模块组设置在所述铜片表面;所述铜片用于作为所述IGBT芯片模块组的发射极;
所述钼基底设置在所述IGBT芯片模块组与所述铜基底之间,所述钼基底用于支撑所述IGBT芯片模块组;所述铜基底用于作为所述IGBT芯片模块组的集电极。
5.根据权利要求4所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述IGBT芯片结构,还包括:绝缘封装层;所述绝缘封装层设置在所述铜片与所述铜基底之间,并将所述IGBT芯片模块组和所述钼基底包围。
6.根据权利要求5所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述IGBT芯片模块组,具体包括:
多个IGBT芯片模块和多个FRD芯片模块;
所述IGBT芯片模块个数与所述FRD芯片模块个数之和与所述第一通孔的个数相同;每个所述IGBT芯片模块位置和每个所述FRD芯片模块位置均与所述第一通孔位置对应。
7.根据权利要求6所述的压接型IGBT的封装结构,其特征在于,所述IGBT芯片模块,具体包括:
IGBT芯片、栅极探针、第二支撑片和IGBT芯片壳体;
所述IGBT芯片设置在所述IGBT芯片壳体内;所述栅极探针一端设置在所述IGBT芯片上,另一端设置在布设有PCB板的所述铜片表面上;所述第二支撑片设置在所述IGBT芯片与所述铜片之间,所述第二支撑片用于将压力均匀传递至所述IGBT芯片。
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