[实用新型]单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关

权利要求书

1.一种单刀单掷射频开关，其特征在于，包括：半导体开关器件(T)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、ESD结构和第一～第六电阻(R1～R6)；

半导体开关器件(T)，其第一端通过第一电容(C1)连接该单刀单掷射频开关第一端口(P1)并通过第一电阻(R1)连接第一状态控制信号输入端(S1)，其第二端通过第二电阻(R2)连接第二状态控制信号输入端(S2)，其第三端通过第四电阻(R4)接地，并通过串联的第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第五电阻(R5)接地，其第四端通过第二电容(C2)连接该单刀单掷射频开关第二端口(P2)并通过第三电阻(R3)连接第三状态控制信号输入端(S3)；

其中，第六电阻(R6)一端连接于第一二极管(D1)和第二二极管(D2)之间，第六电阻(R6)另一端接电源电压(VDD)，第一二极管(D1)负极连接第二二极管(D2)负极；

ESD结构跨接于第一电容(C1)、半导体开关器件(T)和第二电容(C2)所组成串联电路的两端。

2.如权利要求1所述的单刀单掷射频开关，其特征在于：所述ESD结构是并联的第一二极管串和第二二极管串，第一二极管串的各二极管阴阳极依次串联，第二二极管串的各二极管阴阳极依次串联，第一二极管串和第二二极管串的串联方式相反。

3.如权利要求1所述的单刀单掷射频开关，其特征在于：所述ESD结构是PIN二极管(PINdiode)。

4.如权利要求1所述的单刀单掷射频开关，其特征在于：所述半导体开关器件(T)为:PMOS、NMOS、pHEMT或LDMOS。

5.一种具有权利要求1-4任意一项所述单刀单掷射频开关的单刀双掷射频开关，其特征在于,包括：

一发射臂，其第一端连接该单刀双掷射频开关的天线端(P4)，其第二端连接该单刀双掷射频开关的发射端(P5)；

一接收臂，其第一端连接该单刀双掷射频开关的接收端(P3)，其第二端连接该单刀双掷射频开关的天线端(P4)；

所述发射臂包括：所述的单刀单掷射频开关，该单刀单掷射频开关第一端口(P1) 作为该发射臂的第一端，该单刀单掷射频开关第二端口(P2)作为该发射臂的第二端；

所述接收臂包括：所述权利要求1所述的单刀单掷射频开关，该单刀单掷射频开关第一端口(P1)通过第三电容(C3)连接低噪声放大器(B)，低噪声放大器(B)的输出端作为接收臂的第一端，该单刀单掷射频开关第二端口(P2)作为接收臂的第二端。

6.如权利要求5所述的单刀双掷射频开关，其特征在于：接收臂的第三电容(C3)和组成该接收臂的单刀单掷射频开关之间具有ESD器件接入点(E)，发射臂的第二端具有ESD器件接入点(E)，该单刀双掷射频开关的天线端(P4)具有ESD器件接入点(E)，上述各ESD器件接入点(E)中任一处连接有ESD保护器件。

7.如权利要求6所述的单刀双掷射频开关，其特征在于：接收臂还包括并联开关(SW)，并联开关(SW)一端连接在低噪声放大器(B)和第三电容(C3)之间，另一端接地，并联开关(SW)为:PMOS、NMOS、pHEMT或LDMOS。

8.一种具有权利要求5所述单刀双掷射频开关的单刀多掷射频开关，其特征在于,包括：

至少两个所述接收臂和一个所述发射臂；

每个接收臂的第一端连接该单刀多掷射频开关的接收端(P3)，每个接收臂的第二端连接该单刀多掷射频开关的天线端(P4)；

每个发射臂的第一端连接该单刀多掷射频开关的天线端(P4)，每个发射臂的第二端连接该单刀多掷射频开关的发射端(P5)。