[实用新型]一种半导体晶圆真空定位装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体晶圆真空定位装置，包含盘体，所述盘体内设有中空的腔室，盘体上设有连通腔室的抽气管，所述盘体的台面上设有连通腔室的吸气口。本实用新型结构简单，使用方便，定位效果好，能有效确保晶圆晶圆研磨减薄工序中中心边缘均能擦到，避免人工手拿擦片晶片边缘处理不净现象。

技术领域

本实用新型涉及属于半导体晶圆制造领域，应用于半导体晶圆研磨减薄工序，具体涉及一种半导体晶圆真空定位装置。

背景技术

在硅片进行研磨后表面会残留较多的硅粉，人工采用棉花手拿晶片擦拭晶片表面，经常出现晶片边缘擦拭不净，导致后工序表面处理不净镀层发黑。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种半导体晶圆真空定位装置，确保中心边缘均能擦到，避免人工手拿擦片晶片边缘处理不净现象。

本实用新型的技术方案：

一种半导体晶圆真空定位装置，包含盘体，所述盘体内设有中空的腔室，盘体上设有连通腔室的抽气管，所述盘体的台面上设有连通腔室的吸气口，所述吸气口由多个同心环形槽和经过圆心的条形槽组成，最大的环形槽的直径和条形槽的长度不大于半导体晶圆的直径。

进一步地，所述条形槽的长度等于最外圈的环形槽的直径。

进一步地，所述吸气口的外侧设有一圈密封胶圈，所述密封胶圈的直径不大于半导体晶圆的直径。

进一步地，所述抽气管上设有气阀。

进一步地，所述台面上以吸气口为中心对称设有定位桩，所述定位桩由软质材料制成。

与现有技术相比，本实用新型设计与半导体晶圆尺寸同样大的真空定位装置，作业时将硅片放到定位真空盘上，通过抽气管进行抽真空处理，将半导体晶圆吸附在真空装置上，不再需要人工手拿晶片进行擦拭，直接将硅片放到定位装置中，大大降低了硅片破片率，从而使晶片表面达到预期的洁净度；软质材料吸盘的设计，可以将吸盘直接吸附在晶圆的底面，通过抽真空使得吸盘牢牢将晶圆吸在台面上；同心环形槽和条形槽的设计可使吸附晶圆的吸附面积最大，吸力分布更加均匀，配合抽真空，使晶圆整体吸附更加稳固，稳定性好；密封胶圈的设计可在抽真空后，可以停止继续抽真空，依然能保持稳定的吸附力，而没有密封的条件下，需要持续进行抽真空，保证盘体的吸附力；抽气管上设置的气阀，可在抽真空后进行关闭，然后可以对盘体进行移动，达到转移晶圆到下一道工序，使固定的定位装置变成可以移动的，提高了定位装置的实用性和适应性；软质的定位桩，在定位时可以起到定位作用，在擦拭晶片时，软质的定位柱不会对擦拭造成阻碍，不存在有擦拭盲点。本实用新型结构简单，使用方便，定位效果好，能有效确保晶圆晶圆研磨减薄工序中中心边缘均能擦到，避免人工手拿擦片晶片边缘处理不净现象。

附图说明

图1是本实用新型环形槽结构俯视结构示意图；

图2是本实用新型环形槽结构剖视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。

实施例1：

如图1、2所示，一种半导体晶圆真空定位装置，包含盘体1，所述盘体1内设有中空的腔室11，盘体1上设有连通腔室的抽气管12，所述盘体1的台面13上设有连通腔室的吸气口14，所述吸气口14由多个同心环形槽141和经过圆心的条形槽142组成，最大的环形槽141的直径和条形槽142的长度不大于半导体晶圆的直径。

进一步地，所述条形槽142的长度等于最外圈的环形槽141的直径。

进一步地，所述吸气口14的外侧设有一圈密封胶圈2，所述密封胶圈2的直径不大于半导体晶圆的直径。