[实用新型]集成电路和电子装置有效
| 申请号: | 201920114365.5 | 申请日: | 2019-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN209298964U | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
| 发明(设计)人: | L·特鲁费穆斯;S·奥特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号: | H02J7/34 | 分类号: | H02J7/34;H02J9/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 次电源 主电源 电源切换电路 集成电路 易失性存储器 电路 电子装置 耦合到 可控 配置 本实用新型 预充电电路 主电源电压 电源电压 电源模式 电压降 功耗 电源 优化 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:
主电源级,包括主电源节点,所述主电源级被配置成将主电源电压递送到所述主电源节点;
次电源级,包括次电源节点,所述次电源级被配置成将次电源电压递送到所述次电源节点;
电源切换电路;
预充电电路,经由所述电源切换电路而可控地耦合到所述次电源节点;以及
易失性存储器电路,经由所述电源切换电路而可控地耦合到所述主电源节点和所述次电源节点,其中所述电源切换电路被配置成将所述易失性存储器电路的电源在主电源模式中连接到所述主电源节点、或者在次电源模式中连接到所述次电源节点,所述次电源级被配置成在所述主电源模式期间向所述次电源节点供应所述次电源电压。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述预充电电路包括复制电路,所述复制电路具有与所述易失性存储器电路的至少一部分相同的配置,所述复制电路被配置成生成复制电流,其中所述预充电电路被配置成在所述主电源模式中从所述复制电流生成预充电电流并且将所述预充电电流传递到所述次电源节点,所述预充电电流表示在所述次电源模式中由所述易失性存储器电路传递的电流。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,所述预充电电路还包括电流放大电路,所述电流放大电路被配置成放大所述复制电流以产生放大的电流,并且其中所述预充电电流包括所述复制电流和所述放大的电流的总和。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,所述易失性存储器电路包括包含存储器单元的存储器平面,其中所述复制电路包括另外的存储器单元,所述另外的存储器单元是所述存储器平面的所述存储器单元的双生。
5.根据权利要求2所述的集成电路,其特征在于,所述易失性存储器电路包括访问和控制元件,其中所述复制电路包括另外的访问和控制元件,所述另外的访问和控制元件是所述易失性存储器电路的所述访问和控制元件的双生。
6.根据权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述电流放大电路包括至少一个电流镜,所述至少一个电流镜包括连接在所述次电源节点和所述复制电路之间的输入晶体管,所述至少一个电流镜被配置成用指示所述输入晶体管的导电端子之间的电位差的增益来放大所述复制电流。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述易失性存储器电路被配置成以高于用于数据保持的最小电压的电源电压来保持数据,并且其中所述次电源级被配置成递送次电源电压,所述次电源电压具有在所述用于数据保持的所述最小电压的1.0倍和1.15倍之间的范围内的值。
8.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述主电源级包括:
主电压端子,被配置成接收主电压;以及
主调节器,被配置成从所述主电压生成所述主电源电压。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其特征在于,所述次电源级包括:
次电压端子,被配置成接收次电压;以及
次调节器,被配置成从所述次电压生成所述次电源电压。
10.根据权利要求9所述的集成电路,其特征在于,所述电源切换电路包括:
第一可控开关,耦合在所述次调节器的输入端子和所述主电压端子之间;
第二可控开关,耦合在所述次调节器的所述输入端子和所述次电压端子之间;
第三可控开关,耦合在所述易失性存储器电路和所述主电源节点之间;
第四可控开关,耦合在所述易失性存储器电路和所述次电源节点之间;以及
第五可控开关,耦合在所述次电源节点和所述预充电电路之间。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其特征在于,所述第二可控开关和所述第四可控开关被配置成在所述主电源模式期间断开,并且其中所述第一可控开关、所述第三可控开关和所述第五可控开关被配置成在所述主电源模式期间闭合。
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