[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201920108182.2 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN209344078U | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | U·博提格;S·伯萨克 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 杨雅;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 成像像素 滤色器元件 本实用新型 滤色材料 光敏区域 间隙形成 入射光 覆盖 | ||
本实用新型涉及图像传感器。本实用新型公开了一种图像传感器,该图像传感器包括成像像素的阵列,该成像像素的阵列包括:成像像素,该成像像素包括被滤色器元件覆盖的光敏区域,其中,滤色器元件包括使第一颜色的入射光通过的滤色材料,并且其中,至少一个间隙形成在该滤色器元件的滤色材料的部分之间。
相关申请的交叉引用
本申请是申请日为2018年07月12日,申请号为“201821099381.3”的题为“图像传感器”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本实用新型整体涉及图像传感器,并且更具体地讲,涉及具有滤色器的图像传感器。
背景技术
图像传感器常在电子设备,诸如,移动电话、相机和计算机中用来捕获图像。在典型布置中,电子设备设置有被布置成像素行和像素列的图像像素阵列。阵列中的每个图像像素包括经由转移门耦接到浮动扩散区的光电二极管。每个像素接收入射光子(光)并将这些光子转换成电信号。将列电路耦接到每个像素列以用于读出来自图像像素的像素信号。有时,图像传感器被设计为使用联合图像专家组(JPEG)格式将图像提供给电子设备。
常规图像传感器有时包括每个像素上面的滤色器元件。在一种典型布置中,滤色器元件可被布置为拜耳马赛克图案。拜耳马赛克图案由重复的2×2个图像像素的单元格组成,其中两个绿色图像像素沿对角线彼此相对,并且邻近与蓝色图像像素沿对角线相对的红色图像像素。常规图像传感器具有诸如拜耳马赛克图案之类的滤色器图案,该图案在整个阵列上重复而没有图案或波长吸收的变化。当期望可变响应时,这可能限制图像传感器性能。
因此期望为图像传感器提供改善的滤色器阵列。
实用新型内容
一方面提供一种图像传感器,所述图像传感器包括均匀大小的成像像素的阵列,所述成像像素的阵列包括:第一成像像素,所述第一成像像素包括被第一滤色器元件覆盖的第一光敏区域,其中所述第一滤色器元件包括具有第一体积的滤色材料;以及第二成像像素,所述第二成像像素包括被第二滤色器元件覆盖的第二光敏区域,其中所述第二滤色器元件包括具有第二体积的滤色材料,并且其中所述第二体积小于所述第一体积。
另一方面提供一种图像传感器,包括:第一成像像素,所述第一成像像素包括被第一滤色器元件覆盖的第一光敏区域,其中所述第一滤色器元件包括透过第一颜色的入射光的滤色材料;以及第二成像像素,所述第二成像像素包括被第二滤色器元件覆盖的第二光敏区域,其中所述第二滤色器元件包括透过所述第一颜色的入射光的滤色材料,并且其中所述第二滤色器元件包括插置在所述第二滤色器元件的所述滤色材料的部分之间的透明填料。
又一方面提供一种图像传感器,所述图像传感器包括均匀大小的成像像素的阵列,所述成像像素的阵列包括:第一成像像素,其中所述第一成像像素包括被第一滤色器元件覆盖的第一光敏区域,其中所述第一滤色器元件包括透过第一颜色的入射光的滤色材料,其中所述第一滤色器元件的所述滤色材料插置在第一侧壁之间,并且其中所述第一滤色器元件的所述滤色材料在所述第一侧壁之间连续延伸;以及第二成像像素,其中所述第二成像像素包括被第二滤色器元件覆盖的第二光敏区域,其中所述第二滤色器元件包括透过所述第一颜色的入射光的滤色材料,其中所述第二滤色器元件的所述滤色材料插置在第二侧壁之间,并且其中所述第二滤色器元件的所述滤色材料不在所述第二侧壁之间连续延伸。
还一方面提供一种图像传感器,所述图像传感器包括成像像素的阵列,所述成像像素的阵列包括:成像像素,所述成像像素包括被滤色器元件覆盖的光敏区域,其中,所述滤色器元件包括使第一颜色的入射光通过的滤色材料,并且其中,至少一个间隙形成在所述滤色器元件的所述滤色材料的部分之间。
再一方面提供一种图像传感器,所述图像传感器包括:成像像素,所述成像像素包括被滤色器元件覆盖的光敏区域,其中,所述滤色器元件包括使给定颜色的入射光通过的滤色材料,并且其中,所述滤色器元件包括插置在所述滤色器元件的所述滤色材料的部分之间的透明填料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的