[实用新型]一种倒装式LED芯片封装结构

说明书

本实用新型涉及一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。本实用新型显著提高了LED芯片封装成品率和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片封装技术，特别涉及一种倒装式LED芯片封装结构。

背景技术

目前，随着现代电子元器件大步向微型化、集成化和高可靠性方向发展，特别是面对日益激烈的市场竞争，电子产品的生产与制造设备正朝着高速、高精度、智能化、多功能等全自化方向发展。电子信息产品尤其是关键部件印刷板的组装需要经过贴装工艺生产。近几年，随着LED产业的发展，给LED贴片机的整体性能带来了新挑战。

目前使用LED倒装工艺的主要有：大功率照明、COB封装、LED光源模块等。所以总体来说，LED倒装工艺大部分应用的都是集成封装与照明类产品。而在数码、车载等领域的应用几乎是空白的。从工艺上来说，要实现倒装芯片，LED芯片需要焊接到基板表面。而实现倒装LED芯片与基板间的焊接过程中，焊锡极易进入LED芯片的两极之间造成短路。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中存在的不足而提供一种倒装式LED芯片的封装结构，具有较高安全性和使用寿命。

为解决前述技术问题，本实用新型采用了以下技术方案：

一种倒装式LED芯片封装结构，该LED芯片尺寸20mil以下，其功率5～200mW，其包括电路基板和金属焊盘，所述金属焊盘相对于LED芯片的外侧具有一容纳多余锡膏的溢流槽，且所述金属焊盘高于电路基板。

本实用新型还可以通过以下技术措施进一步优化：

所述金属焊盘为V形，所述溢流槽位于V形转角处。所述LED芯片的PN极之间具有预设的隔离PN极的绝缘层。所述LED芯片的外围包裹有环氧树脂密封层。

由于采用了以上技术方案，本实用新型具有的有益技术效果如下：

由于设置了焊接LED芯片的金属焊盘，且金属焊盘的高度高于基板，金属焊盘的折角处形成凹槽，当锡膏被加热熔化后，多余的锡膏被引流至溢流槽内，避免了锡膏进入到LED芯片的两个电极之间产生短路问题，降低了次品率，也提高了产品的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的单粒封装LED芯片结构示意图。

图2是本实用新型的半成品1示意图。

图3是本实用新型的半成品2示意图。

图4是本实用新型的半成品1示意图。

附图标记：

1.LED芯片；2.电路基板；3.金属焊盘；4.锡膏；5.密封层；6.绝缘层。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。