[实用新型]一种半导体器件有效
申请号: | 201920083386.5 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN209401606U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属贴片 晶圆 晶圆背面 贴附 半导体器件 测试机台 本实用新型 测试 封装过程 金属镀层 晶圆测试 晶圆翘曲 晶圆正面 整体呈现 中心重合 传统的 平面的 平面式 背金 去除 搬运 背面 切割 | ||
本实用新型提供一种半导体器件,包括:晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面,晶圆背面包括背金工艺形成的背面金属镀层;以及贴附在晶圆背面的至少部分区域的金属贴片;其中,金属贴片的中心与晶圆的中心重合,并且贴附有金属贴片的晶圆背面整体呈现平面式。在晶圆背面贴附金属贴片,提高了晶圆的强度,有效防止出现晶圆翘曲现象,降低搬运过程中晶圆损坏的风险。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的,能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试,提高了测试机台的利用率,降低晶圆测试的成本。测试后,无需去除该金属贴片,便可进入后续的切割封装过程。
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,具体地涉及半导体功率器件制造领域,更具体地涉及一种半导体器件。
背景技术
在集成电路中,半导体器件,尤其是功率器件是一个重要的应用领域。功率器件制造过程中,晶圆的背面工艺制程对器件电阻的降低及后续的封装都有重要影响。对于背面工艺制程的研磨工艺,现有技术中主要有Taiko工艺和传统的非Taiko(non-Taiko)研磨工艺。采用Taiko工艺对晶圆进行研磨时,将保留晶圆的外围边缘部分,只对晶圆内进行研磨薄型化。该工艺能够降低薄型晶圆的搬运风险,并且能够减少传统研磨工艺造成的晶圆翘曲现象,提高晶圆的强度。
然而,由于Taiko工艺处理后的晶圆(简称Taiko晶圆)背面存在凹陷区,而传统的non-Taiko研磨工艺处理后的晶圆(简称non-Taiko)背面为平面式,这就导致测试传统晶圆的探针台无法载放Taiko晶圆,反之能测试Taiko晶圆的探针台无法载放传统晶圆。
为了测试Taiko晶圆,目前常用的方法都是通过更改卡盘的样式来配合吸附放置Taiko晶圆,例如将卡片设置为具有与Taiko晶圆背面的凹陷区对应的凸台。这种更改卡盘的方式涉及到设备改造,势必会增加测试成本,并且改造后无法零成本还原,因此无法兼容测试传统晶圆。由此导致晶圆测试机台的利用率降低,晶圆测试成本增加。
实用新型内容
鉴于现有技术的上述缺陷和不足,本实用新型提供一种半导体器件,该半导体器件的晶圆背面均呈平面式,无论是Taiko晶圆还是传统的non-Taiko晶圆均能够在传统测试机台上进行测试,无需对测试机台做出任何更改,从而提高晶圆测试机台的利用率,降低晶圆测试成本。
根据本实用新型,提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:
晶圆,包括晶圆正面及晶圆背面,所述晶圆背面包括背金工艺形成的背面金属镀层;以及
贴附在所述晶圆背面的至少部分区域的金属贴片;
其中,所述金属贴片的中心与所述晶圆的中心重合,并且贴附有所述金属贴片的所述晶圆背面整体呈现平面式。
可选地,所述金属贴片包括圆盘形金属贴片,所述金属贴片选自金、银和铜片中的任意一种。
可选地,所述晶圆背面的中间区域的厚度小于外围边缘的厚度,所述中间区域形成为凹陷区,所述金属贴片贴附在所述凹陷区的表面上,并且所述金属贴片的形状、尺寸与所述凹陷区的形状、尺寸吻合当。
可选地,所述金属贴片的直径介于190mm~290mm或200mm~300mm,所述金属贴片的厚度介于0.3mm~0.8mm。
可选地,所述半导体器件还包括涂覆在所述晶圆背面和所述金属贴片之间的锡膏层,所述金属贴片通过所述锡膏层粘合在所述晶圆背面。
根据本实用新型的第三方面,本实用新型提供了一种半导体器件,该半导体器件包括自晶圆切割出的单独的晶粒以及贴附在所述晶粒背面的金属贴片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造