[实用新型]一种带隙基准电路

说明书

本实用新型公开了一种带隙基准电路，包括：正反馈回路、负反馈回路和发射极跟随电路；所述正反馈回路包括晶体管M1、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2；所述负反馈回路包括晶体管M2、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2；本实用新型采用双运放结构，利用了正反馈和负反馈的集合，同时利用发射极跟随电路确保整个电路处于负反馈中，提高了电路的电源抑制比和稳定性；另外，本实用新型结构简单，减低版图的占用面积，降低了工艺成本，提高了集成度。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，更具体的说是涉及一种带隙基准电路。

背景技术

在模拟集成电路中基准电压源是一个非常重要的模块，一个有效的基准电压源在一定范围内基本上与电源电压变化、工艺参数变化、温度变化等无关。随着温度补偿技术、激光修正等技术的发展，使带隙基准电压源的性能不断得到提高；在CMOS技术迅速发展的今天，带隙基准电压源技术也获得了飞速发展。因而带隙基准电压源被广泛地应用在DC-DC转换、RF电路中，基准源在模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)等混合信号电路中的作用更大，是该转换器精度高低的重要决定因素，其精度必须优于ADC本身的精度，否则会严重影响ADC 的性能。因此，高精度、高稳定性电压基准电路在现代混合信号集成电路设计中具有不可或缺的地位。

带隙基准源是将电源电压转换成与温度和电源电压近似无关的基准电压，其作用主要在于向电路中的其他模块提供稳定的偏置和参考电压。基准电压的稳定性直接关系到电流的工作状态。传统的带隙基准源电路是利用工作在不同电流密度下的两个三极管，它们的基极-发射极电压差与绝对温度成正比，而三极管基极-发射极电源与绝对温度成反比，利用将具有正温度系数的电压和负温度系数的电压以合适的权重相加，就得到了与温度无关的输出电压。

其中衡量带隙基准源电路的主要参数之一便是电源抑制比(PSRR)，它反映了当电源有噪声而发生波动时，基准输出量受电源波动的影响。现有技术中，传统的带隙基准源结构的低频PSRR最大可达70dB左右，而中频和高频PSRR往往会低到20dB左右，甚至可能更低；这给应用带来了很大的不便。

因此，如何设计一种高电源抑制比带隙基准源电路是本领域技术人员亟需解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路采用双运放结构，同时利用正反馈和负反馈实现电源抑制比的提高。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种带隙基准电路，包括：正反馈回路、负反馈回路和发射极跟随电路；

所述正反馈回路包括晶体管M1、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2；所述负反馈回路包括晶体管M2、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2；

所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述晶体管M3的源极均与电源电压 VDD相连，所述晶体管M1的漏极与所述运算放大器OP1的反相输入端相连，所述晶体管M2的漏极与所述运算放大器OP1的正相输入端相连，所述运算放大器OP1的输出端与所述晶体管M3的栅极相连，所述晶体管M3的漏极与所述运算放大器OP2的反相输入端相连，所述运算放大器OP2的正相输入端与所述晶体管M1相连，所述运算放大器OP2的输出端连接所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极；

所述晶体管M1的栅极连接所述晶体管M2的栅极；

所述发射极跟随电路包括三极管Q2和电阻R2，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R2的一端相连，所述三极管Q2的集电极与所述运算放大器OP1的正相输入端连接，所述三极管的基极与所述运算放大器OP2的反相输入端连接，所述电阻R2的另一端接地。

优选的，还包括补偿电路，所述补偿电路第一补偿电路和第二补偿电路；