[实用新型]一种薄层透明紫外光电子器件

说明书

本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层。上述的光电子器件可以实现紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。

技术领域

本实用新型涉及一种薄层透明紫外光电子器件。

背景技术

自从Thomas Alva Edison等人实用新型了钨丝灯泡，人类的生活方式发生了翻天覆地的变化。“随着太阳升起，与日落一起休息”不再是一种生活方式。电致发光器件的实用新型直接加速了技术进步和文明的发展。在那之后，科学家们不断寻找具有更多节能和实际应用的新光源。1961年，Robert Biard和Gary Pittman发现了GaAs的红外辐射，和第二年Nick Holonyak实用新型了第一个可见光发光二极管。最近，Nakamura Shūji等人实用新型了高亮度蓝光LED并获得诺贝尔物理学奖。发光二极管(LED)这种能将光和电结合在一起的器件的发展日益成熟，与传统光源相比，LED具有体积小，发光效率理想，寿命长，开关时间快，导通电压相对较低，汞环境污染小等优点；LED不仅用于照明，也用于光通信甚至工业和医疗等领域。一般的高亮度LED制造工艺相当复杂，包含十多个制造步骤，这需要大量的时间和原材料成本。

深紫外LED仍然是近年来科学家继续研究的研究目标领域之一，因为它们具有广泛的应用价值，包括生物医学，环境保护和公共卫生等；但相比于其他LED，深紫外LED的制造存在更多的挑战。这主要是因为对晶体衬底和III-V氮化物半导体的缺陷控制的忽视以及技术上的障碍，这些挑战不仅增加了制造的难度，还增加了制作成本。

因此，需要制造一种新深紫外LED结构，以满足各种竞争特征，包括批量生产的快速制造工艺，低成本和多功能。首先，就是寻找一种结构来代替p-n结，因为过多的p、n掺杂过程可能伴随着晶格结构的破坏；此外，许多半导体本身固有地难以得到p型和n型掺杂，这使得p-n结的制造成为挑战问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题是提供一种薄层透明紫外光电子器件，实现器件的紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。

为了解决上述的技术问题，本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；

所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层。

在一较佳实施例中：所述金属电极与所述单电导层为欧姆接触。

在一较佳实施例中：所述光电子器件为光探测器。

本技术方案与背景技术相比，它具有如下优点：

1.本实用新型使用一种“金属(Metal)—绝缘体(Insulator)—半导体(Semiconductor)”的结构来代替p-n结，避免过多的p、n掺杂过程伴随的晶格结构的破坏，并解决了许多半导体本身固有地难以得到p型和n型掺杂的问题；

2.本实用新型避免了复杂的制作工艺，并减少了长时间的沉积过程中产生的缺陷，同时降低了制作成本；

3.本实用新型可以实现器件的紫外双面发光，且发光效率高，发光波段达紫外光波段；

4.本实用新型具有良好的光探测性能，以此可以获得一种光探测器，具有快的光响应时间以及高的响应度。

附图说明