[实用新型]具超低损耗高频电容器

说明书

本实用新型公开了一种具超低损耗高频电容器，包括电容器本体、内电极层、外部电极和钡镐陶瓷层；所述电容器本体的两侧设置外部电极；电容器本体的内部设置内电极层和钡镐陶瓷层；所述的外部电极自内至外依次为银电极层、镍电极层和锡电极层；所述银电极层中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极层为银钯内电极层；所述银钯内电极中银钯金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极层设置有多个，多个内电极层均与外部电极电性连接；多个内电极层交错设置与钡镐陶瓷层交替堆叠。本实用新型大幅降低损耗系数，实现了低电容超低损耗以及高电容超低损耗之高频微波组件产品。

技术领域

本实用新型涉及一种电子组件结构，具体涉及一种具超低损耗高频电容器。该产品的主要属于电容陶瓷器中的第一类NPO产品，其名称为温度补偿特性电容，由于其温度范围变化率非常小，在于ppm范围之变化，因此其应用领域属于应用在高频率段范围，频率范围从1MHz到10GHz范围，都属于其应用范围。

背景技术

由于高频电容组件，若要达到低损耗，往往不是容易达成。由于组件制造过程中，高频电容组件结构，包括有钡镐陶瓷层以及电极层，需要彼此匹配才有办法降低损耗，因此，目前开发的电容组件，虽然都使用低损耗的陶瓷材料，但是往往却因为其他制造的工艺技术影响，导致制造出来的组件，仍没办法达到低损耗特性。因而若要能够突破传统工艺，达到制作出来的组件具有低损耗特性，则在金属电极层部分，要做特别之调整，包括让电极层密度致密并且孔隙降低，才有办法达到低损耗特性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种具超低损耗高频电容器，降低损耗系数。

为解决上述技术问题，本实用新型采取如下技术方案：具超低损耗高频电容器，包括电容器本体、内电极、外部电极和钡镐陶瓷层；所述电容器本体的两侧设置外部电极；电容器本体的内部设置内电极和钡镐陶瓷层；所述的外部电极自内至外依次为银电极层、镍电极层和锡电极层；所述银电极层中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极为银钯内电极；所述银钯内电极中银钯金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极设置有多个，多个内电极均与外部电极电性连接；多个内电极交错设置与钡镐陶瓷层交替堆叠。

进一步地，所述外部电极的厚度为0.2±0.20mm。

进一步地，钡镐陶瓷层的介电常数为28-38，损耗系数Df≦0.006％；所述的内电极设置有两个，两个内电极均与外部电极电性连接；两个内电极交错设置与钡镐陶瓷层交替堆叠。

进一步地，所述钡镐陶瓷层的介电常数为13-18，损耗系数Df≦0.006％；所述的内电极设置有四个，四个内电极均与外部电极电性连接；其中两个内电极处于同一水平面，两个内电极之间设置有间隔A；另两个内电极处于同一水平面，且两个内电极之间设置有间隔B；间隔A和间隔B交错设置，四个内电极与钡镐陶瓷层交替堆叠。

进一步地，交错设置的内电极之间的钡镐陶瓷层的厚度为150μm-450μm。

进一步地，所述银金属粉末的粒度和银钯金属粉末的粒度介于0.4-0.8μm之间。

本实用新型的有益效果：本实用新型将陶瓷材料与金属电极共同制作成微波组件，大幅降低损耗系数，实现了低电容超低损耗以及高电容超低损耗之高频微波组件产品。

附图说明

为了更清晰地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为实施例1低电容与超低损耗之高频电容组件剖面图。

图2为实施例1低电容与超低损耗之高频电容组件的俯视图。

图3为实施例1低电容与超低损耗之高频电容组件的侧视图。