[实用新型]一种专用于传感电磁炉的电路有效
| 申请号: | 201920008166.6 | 申请日: | 2019-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN210157422U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 雷小川 | 申请(专利权)人: | 重庆悠悦智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H05B6/06 | 分类号: | H05B6/06;H05B6/12 |
| 代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 王霞 |
| 地址: | 400000 重庆市涪陵区*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 专用 传感 电磁炉 电路 | ||
1.一种专用于传感电磁炉的电路,其特征在于:包括市电插接件、EMI滤波电路单元、整流桥电路单元、开关电源电路单元、IGBT半桥电路单元、IGBT半桥驱动电路单元、逻辑电路单元、主控制电路单元和涡流线圈,其中,所述逻辑电路单元包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一与门AND1、第二与门AND2、第三与门AND3、第四与门AND4、第一三极管BJT1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7,所述IGBT半桥电路单元包括第一IGBT晶体管IBGT1、第二IGBT晶体管IGBT2、第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3;
所述主控制电路单元的PWM信号输入端PWM分别电连接所述第一二极管D1的阴极、所述第二二极管D2的阳极、所述第二与门AND2的第一输入端和所述第三二极管D3的阳极,所述第一二极管D1的阳极分别电连接所述第二二极管D的阴极和所述第一与门AND的输入端,所述第一与门AND1的输出端分别电连接所述第二与门AND2的第一输入端和所述第四二极管D4的阳极,所述第二与门AND2的输出端电连接所述第三与门AND3的第一输入端,所述第三二极管D3的阴极和所述第四二极管D4的阴极分别电连接第一电阻R1的一端,所述第一电阻R1的另一端分别电连接所述第二电阻R2的一端和所述第一三极管BJT1的基极,所述第一三极管BJT1的集电极分别电连接所述第三电阻R3的一端和所述第四与门AND4的第二输入端;
所述主控制电路单元的使能信号输入端ENABLE通过所述第四电阻R4分别电连接所述第五电阻R5的一端、所述第三与门AND3的第二输入端和所述第四与门AND3的第一输入端,所述第三与门AND3的输出端通过第六电阻R6电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第一脉冲信号输出端INHS+,所述第四与门AND4的输出端通过第七电阻R7电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第二脉冲信号输出端INLS+,所述第三电阻R3的另一端和所述第五电阻R5的另一端分别电连接第一高电平电位5V,所述第二电阻R2的另一端和所述第一三极管BJT1的发射极分别接地;
所述IGBT半桥驱动电路单元的第一驱动信号输出端IGBT_H电连接所述第一IGBT晶体管IBGT1的门极,所述IGBT半桥驱动电路单元的第二驱动信号输出端IGBT_L电连接所述第二IGBT晶体管IBGT2的门极,所述第一IGBT晶体管IBGT1的集电极分别电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端HV+/VBUS、所述第一电容C1的一端、所述第三电容C3的一端和所述涡流线圈的一端,所述第一IGBT晶体管IBGT1的发射极分别电连接所述第二IGBT晶体管IBGT2的集电极、所述第一电感L1的一端VHS和所述涡流线圈的另一端,所述第一电感L1的另一端分别电连接所述第一电容C1的另一端和所述第二电容C2的一端,所述第二IGBT晶体管IBGT2的发射极、所述第二电容的另一端和所述第三电容C3的另一端分别接地;
所述市电插接件、所述EMI滤波电路单元和所述整流桥电路单元依次电连接,所述整流桥电路单元的高电位输出端HV+/VBUS电连接所述开关电源电路单元。
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