[实用新型]一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构

说明书

本实用新型主要应用于现场测量²⁴¹Am低能γ射线，特别是一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构，主探测器设计成圆柱井形结构，在呈圆柱井形的主探测器中放置抑制探测器，根据低能γ射线的能量沉积分布特点，选用具有高分辨率的高纯锗HPGe作为主探测器，选用具有较高探测效率的锗酸铋BGO闪烁晶体作为抑制探测器，抑制探测器设计成圆柱形实体结构；在满足便携性要求前提下选择合适的圆柱井形主探测器的直径D+2T和长度L+T，主探测器周壁径向厚度与底部厚度T在2‑9mm内统一选取，圆柱形抑制探测器的直径D与长度L由主探测器的直径与长度尺寸确定。本实用新型可有效提高现场测量低能γ射线的能力。

技术领域

本实用新型涉及一种新的散射抑制探测结构，采用反符合抑制技术，主要应用于现场测量²⁴¹Am低能γ射线，特别是一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构。

背景技术

²⁴¹Am的特征γ射线能量较低（59.54keV），在污染核素种类复杂的场地中进行现场测量时，容易受到其它核素中高能γ射线康普顿散射本底的影响，导致探测限增高，无法满足现场测量要求。反符合技术是抑制散射本底最有效的方法，通过对γ射线作用过程中的康普顿散射事件进行抑制，降低由高能γ射线产生的康普顿连续谱，有效减少低能γ射线的测量本底。反符合抑制系统主要由主探测器、抑制探测器和反符合电子学及能谱测量软件等组成，通常采用主探测器在内、抑制探测器在外的探测结构，在现场测量时，抑制探测器会对主探测器造成屏蔽作用，使主探测器对低能γ射线的探测效率降低。本申请采用主探测器包围抑制探测器的散射抑制探测结构，解决了由于屏蔽作用使探测效率降低的问题，有效提高了低能γ射线的探测能力和低能区散射本底的抑制能力。

文献对比分析表明，本申请提出的散射抑制探测结构，在国内外相关领域未发现与该申请结构相同的专利及文献。

实用新型内容

本实用新型专利的目的是设计一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构，作为新的具有散射抑制功能的探测结构，有效改善低能γ射线的现场测量能力。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构，主探测器设计成圆柱井形结构，在呈圆柱井形的主探测器中放置抑制探测器，根据低能γ射线的能量沉积分布特点，选用具有高分辨率的高纯锗HPGe作为主探测器，选用具有较高探测效率的锗酸铋BGO闪烁晶体作为抑制探测器，抑制探测器设计成圆柱形实体结构；在满足便携性要求前提下选择合适的圆柱井形主探测器的直径D+2T和长度L+T，主探测器周壁径向厚度与底部厚度T在2-9mm内统一选取，圆柱形抑制探测器的直径D与长度L由主探测器的直径与长度尺寸确定。

本实用新型采用主探测器包围抑制探测器的探测结构，解决由于抑制探测器的屏蔽作用造成低能γ射线探测效率降低的问题，有效抑制低能区散射本底，提高现场测量低能γ射线的能力。

本实用新型可有效提高现场测量低能γ射线的能力，其创新点为：主探测器包围抑制探测器的散射抑制探测结构，将低能γ射线的能量沉积分布及散射光子角分布特点相结合，采用反符合抑制技术，有效提高了现场测量低能γ射线的探测能力和低能区散射本底的抑制能力。

附图说明

图1是本实用新型总装时的剖视结构示意图；

图2是本实用新型分解时的立体结构示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施例来进一步阐述本实用新型，下面各实施例仅用于举例说明本实用新型，而本实用新型的保护范围不受这些实施例的限制，所列材料与前面所述材料的要求一致。