[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路和芯片

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路，其特征在于：包括：

整流器，用于识别ASK信号包络，以及为后级电路供电；

低通滤波器，用于对整流器输出的信号进行低通滤波；

零阈值比较器，用于对低通滤波器输出的信号进行放大；

输出缓冲器，用于根据零阈值比较器的输出信号来驱动负载；

其中，后级电路包括低通滤波器、零阈值比较器和输出缓冲器；

所述低通滤波器为包括第三电容和电阻单元的RC滤波器，所述电阻单元由两个反向堆叠的晶体管构成；

其中，所述两个反向堆叠的晶体管为第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的第一源漏极和第四晶体管的第一源漏极连接，所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极均连接在第三晶体管的第一源漏极与第四晶体管的第一源漏极连接的连接处，所述第三晶体管的第二源漏极和第四晶体管的第二源漏极分别作为电阻单元的两端；

所述整流器包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容和第二电容，所述第一晶体管的第一源漏极和所述第二晶体管的第一源漏极连接并作为整流器的信号正输入端，所述第一电容的第一端连接在第一晶体管的第二源漏极，所述第二电容的第一端连接在第二晶体管的第二源漏极，所述第一电容的第二端和第二电容的第二端连接，所述第一电容的第二端作为整流器的信号负输入端，所述第一晶体管的栅极连接在第一晶体管的第一源漏极，所述第二晶体管的栅极连接在第二晶体管的第二源漏极；所述第一电容的第一端作为后级电路的电源正极端，所述第二电容的第一端作为后级电路的电源负极端；

所述第三晶体管的第二源漏极与第二电容的第一端连接，所述第三电容的第一端与第二电容的第二端连接，所述第三电容的第二端与第四晶体管的第二源漏极连接；

所述零阈值比较器包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的第一源漏极和第六晶体管的第一源漏极连接，所述第五晶体管的栅极与第五晶体管的第一源漏极连接，所述第五晶体管的第二源漏极用于连接电源正极端，所述第六晶体管的第二源漏极用于连接电源负极端，所述第六晶体管的栅极作为零阈值比较器的输入端，所述第六晶体管的第一源漏极作为零阈值比较器的输出端；

所述输出缓冲器包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和第二反相器串联；

所述第一反相器由第七晶体管和第八晶体管组成；

所述第七晶体管的第一源漏极和第八晶体管的第一源漏极连接，所述第七晶体管的栅极与第七晶体管的第一源漏极连接，所述第七晶体管的第二源漏极用于连接电源正极端，所述第八晶体管的第二源漏极用于连接电源负极端，所述第八晶体管的栅极作为第一反相器的输入端，所述第八晶体管的第一源漏极作为第一反相器的输出端；

所述第二反相器由第九晶体管和第十晶体管组成；

所述第九晶体管的第一源漏极和第十晶体管的第一源漏极连接，所述第九晶体管的栅极与第九晶体管的第一源漏极连接，所述第九晶体管的第二源漏极用于连接电源正极端，所述第十晶体管的第二源漏极用于连接电源负极端，所述第十晶体管的栅极作为第二反相器的输入端，所述第十晶体管的第一源漏极作为第二反相器的输出端；

所述第一反相器的输入端连接零阈值比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为输出缓冲器的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路，其特征在于：所述第七晶体管的沟道长宽比和第九晶体管的沟道长宽比均要大于第八晶体管的沟道长宽比和第十晶体管的沟道长宽比。

3.一种芯片，其特征在于：包括如权利要求1-2任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路。