[发明专利]磁铁底座、霍尔离子源以及磁铁热保护装置在审
申请号: | 201911423852.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111128647A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波;曾文华;刘运鸿;吴秋生 | 申请(专利权)人: | 中山市博顿光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J27/14 | 分类号: | H01J27/14;H01J27/02 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁铁 底座 霍尔 离子源 以及 保护装置 | ||
本申请涉及一种磁铁底座,包括一水冷外罩;该水冷外罩两端分别设有上密封环和下密封环;所述上密封环用于连接在霍尔离子源的上盖板,所述下密封环用于连接霍尔离子源的底板;所述水冷外罩内部为中空设计,所述水冷外罩内部的空间内用于安装磁铁;所述水冷外罩在安装磁铁的空间周围布置有水路进行包裹;所述水冷外罩还设有所述水路的进水口和出水口;所述水冷外罩用于隔离外部热辐射传递到内部的磁铁上,并且通过所述水路对所述磁铁进行水冷散热。该方案减少了外部环境热辐射对磁铁的影响,防止了由于热辐射导致磁铁的磁性衰减的风险。另外,本申请还提供了一种霍尔离子源以及磁铁热保护装置,使得阳极的冷却结构更加简单,维护更加方便。
技术领域
本申请涉及离子源技术领域,具体而言,本申请涉及一种磁铁底座、霍尔离子源以及磁铁热保护装置。
背景技术
离子源是一门用途广,类型多、涉及科学多、工艺技术性强、发展十分迅速的应用科学技术。而霍尔离子源作为一种十分常用、简单耐用的离子源类型,多应用于薄膜沉积领域,作为沉积辅助部件,提高薄膜物理特性。
参考图1所示,传统的霍尔离子源基本原理是:通过永磁体产生霍尔效应的磁场,阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化,等离子化后的气体通过阳极的加速,将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强,霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。如图示,常见的中和源就是钨丝(阴极)。
霍尔离子源的离子电流与气体流量几乎成比例,可获得较大离子电流,强磁场一般使用永磁体。但传统的霍尔离子源使用热灯丝阴极,发热量大,霍尔离子源的阳极电流较大,阳极本身发热量也很大,同时高温加工构件时,外部环境也很大,参考图2所示,图中所示虚线箭头为分别来源于外部环境热辐射、阳极和阴极辐射的热量对磁铁的影响。由于永磁体在高温下会失去磁性,而高温的加工工艺、外部环境温度、阳极和阴极辐射的热量等大量传导到磁铁,容易导致磁铁高温而失去磁性。
发明内容
本申请的目的旨在解决上述的技术缺陷之一,特别是大量热量传导到磁铁,容易导致磁铁高温而失去磁性的问题。
为了实现上述目的,本申请提供以下技术方案:
一种磁铁底座,包括一水冷外罩;该水冷外罩两端分别设有上密封环和下密封环;
所述上密封环用于连接在霍尔离子源的上盖板,所述下密封环用于连接霍尔离子源的底板;
所述水冷外罩内部为中空设计,所述水冷外罩内部的空间内用于安装磁铁;所述水冷外罩在安装磁铁的空间周围布置有水路进行包裹;所述水冷外罩还设有所述水路的进水口和出水口;
所述水冷外罩用于隔离外部热辐射传递到内部的磁铁上,并且通过所述水路对所述磁铁进行水冷散热。
在一个实施例中,所述上密封环和下密封环上均设有螺丝孔,分别通过螺丝固定在霍尔离子源的上盖板和底板上。
在一个实施例中,所述水冷外罩及其上密封环和下密封环为圆形结构,其截面为“工”字型。
在一个实施例中,所述上密封环和下密封环上设有气体管道通孔,用于贯穿安装气体管道。
上述磁铁底座,将磁铁处于水冷环境中,得到了完美保护,同时将磁铁与外界热源隔离,减少了外部环境热辐射对磁铁的影响,防止了由于热辐射导致磁铁的磁性衰减的风险。
一种霍尔离子源,包括磁铁,阳极,阴极,磁铁以及导磁块以及上述的磁铁底座;
所述上密封环连接在霍尔离子源的上盖板上,所述下密封环连接在霍尔离子源的底板上;
所述磁铁安装在磁铁底座的水冷外罩内部的空间内,所述导磁块安装在磁铁与阳极之间;所述阳极贴合安装于上盖板上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市博顿光电科技有限公司,未经中山市博顿光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911423852.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。