[发明专利]磁铁底座、霍尔离子源以及磁铁热保护装置在审

专利信息
申请号: 201911423852.0 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111128647A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波;曾文华;刘运鸿;吴秋生 申请(专利权)人: 中山市博顿光电科技有限公司
主分类号: H01J27/14 分类号: H01J27/14;H01J27/02
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 刘延喜
地址: 528400 广东省中山市火*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁铁 底座 霍尔 离子源 以及 保护装置
【说明书】:

本申请涉及一种磁铁底座,包括一水冷外罩;该水冷外罩两端分别设有上密封环和下密封环;所述上密封环用于连接在霍尔离子源的上盖板,所述下密封环用于连接霍尔离子源的底板;所述水冷外罩内部为中空设计,所述水冷外罩内部的空间内用于安装磁铁;所述水冷外罩在安装磁铁的空间周围布置有水路进行包裹;所述水冷外罩还设有所述水路的进水口和出水口;所述水冷外罩用于隔离外部热辐射传递到内部的磁铁上,并且通过所述水路对所述磁铁进行水冷散热。该方案减少了外部环境热辐射对磁铁的影响,防止了由于热辐射导致磁铁的磁性衰减的风险。另外,本申请还提供了一种霍尔离子源以及磁铁热保护装置,使得阳极的冷却结构更加简单,维护更加方便。

技术领域

本申请涉及离子源技术领域,具体而言,本申请涉及一种磁铁底座、霍尔离子源以及磁铁热保护装置。

背景技术

离子源是一门用途广,类型多、涉及科学多、工艺技术性强、发展十分迅速的应用科学技术。而霍尔离子源作为一种十分常用、简单耐用的离子源类型,多应用于薄膜沉积领域,作为沉积辅助部件,提高薄膜物理特性。

参考图1所示,传统的霍尔离子源基本原理是:通过永磁体产生霍尔效应的磁场,阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化,等离子化后的气体通过阳极的加速,将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强,霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。如图示,常见的中和源就是钨丝(阴极)。

霍尔离子源的离子电流与气体流量几乎成比例,可获得较大离子电流,强磁场一般使用永磁体。但传统的霍尔离子源使用热灯丝阴极,发热量大,霍尔离子源的阳极电流较大,阳极本身发热量也很大,同时高温加工构件时,外部环境也很大,参考图2所示,图中所示虚线箭头为分别来源于外部环境热辐射、阳极和阴极辐射的热量对磁铁的影响。由于永磁体在高温下会失去磁性,而高温的加工工艺、外部环境温度、阳极和阴极辐射的热量等大量传导到磁铁,容易导致磁铁高温而失去磁性。

发明内容

本申请的目的旨在解决上述的技术缺陷之一,特别是大量热量传导到磁铁,容易导致磁铁高温而失去磁性的问题。

为了实现上述目的,本申请提供以下技术方案:

一种磁铁底座,包括一水冷外罩;该水冷外罩两端分别设有上密封环和下密封环;

所述上密封环用于连接在霍尔离子源的上盖板,所述下密封环用于连接霍尔离子源的底板;

所述水冷外罩内部为中空设计,所述水冷外罩内部的空间内用于安装磁铁;所述水冷外罩在安装磁铁的空间周围布置有水路进行包裹;所述水冷外罩还设有所述水路的进水口和出水口;

所述水冷外罩用于隔离外部热辐射传递到内部的磁铁上,并且通过所述水路对所述磁铁进行水冷散热。

在一个实施例中,所述上密封环和下密封环上均设有螺丝孔,分别通过螺丝固定在霍尔离子源的上盖板和底板上。

在一个实施例中,所述水冷外罩及其上密封环和下密封环为圆形结构,其截面为“工”字型。

在一个实施例中,所述上密封环和下密封环上设有气体管道通孔,用于贯穿安装气体管道。

上述磁铁底座,将磁铁处于水冷环境中,得到了完美保护,同时将磁铁与外界热源隔离,减少了外部环境热辐射对磁铁的影响,防止了由于热辐射导致磁铁的磁性衰减的风险。

一种霍尔离子源,包括磁铁,阳极,阴极,磁铁以及导磁块以及上述的磁铁底座;

所述上密封环连接在霍尔离子源的上盖板上,所述下密封环连接在霍尔离子源的底板上;

所述磁铁安装在磁铁底座的水冷外罩内部的空间内,所述导磁块安装在磁铁与阳极之间;所述阳极贴合安装于上盖板上;

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