[发明专利]复合型缺省电路及复位控制方法在审
申请号: | 201911423737.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111130521A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 黄如金;吴世杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市迈迪杰电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 诸炳彬 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合型 缺省 电路 复位 控制 方法 | ||
1.一种复合型缺省电路,其特征在于:包括,
物理按键(1),所述物理按键(1)的一端接地,用于提供接地信号;
CMOS清除电路(2),与所述物理按键(1)电连接,用于在未连接系统电源时接收接地信号并清除CMOS内数据;
冷重启电路(3),与所述物理按键(1)电连接,用于在连接系统电源时接收接地信号并输出重启信号;
所述CMOS清除电路(2)与冷重启电路(3)均电连接有系统电源。
2.根据权利要求1所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述CMOS清除电路(2)包括:
晶体管(21),输入端与CMOS电连接,用于导通或截止CMOS与接地端;
控制电路(22),输入端与系统电源电连接,输出端与晶体管(21)的控制端电连接,用于控制晶体管(21)的通断;
隔离元件(23),一端与晶体管(21)的输出端电连接,另一端与物理按键(1)电连接,用于隔离外界信号。
3.根据权利要求1所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述控制电路(22)包括第一电阻R1和第二电阻R2,所述第一电阻R1与第二电阻R2串联,所述第一电阻R1远离第二电阻R2的一端接系统电源,所述第一电阻R1与第二电阻R2的连接中点与晶体管(21)的控制端电连接,所述第二电阻R2接地。
4.根据权利要求1所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述冷重启电路(3)包括反相芯片(31),所述反相芯片(31)与物理按键(1)电连接,用于隔离外界信号并输出重启信号。
5.根据权利要求4所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述反相芯片(31)包括第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入端与物理按键(1)电连接,所述第一反相器的输出端与第二反相器的输入端电连接,所述第二反相器的输出端输出重启信号。
6.根据权利要求5所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述冷重启电路(3)还包括延时电路(32),所述延时电路(32)包括第三电阻R3和第一电容C1,所述第三电阻R3和第一电容C1串联,所述第一电容C1接地,所述第三电阻R3远离第一电容C1的一端与第一反相器的输出端电连接,所述第二反相器的输入端位于第三电阻R3和第一电容C1的连接中点处。
7.根据权利要求5所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述冷重启电路(3)还包括置低二极管(33),所述置低二极管(33)的负极与第一反相器的输出端电连接,所述置低二极管(33)的正极位于第三电阻R3和第一电容C1的连接中点处。
8.根据权利要求5所述的复合型缺省电路,其特征在于:所述第二反相器的输出端上电连接有隔离第四电阻R4。
9.一种基于权利要求1-8任意一项所述的复位控制方法,其特征在于:包括,
获取CMOS清除电路(2)和冷重启电路(3)的供电情况;
获取物理按键(1)的工作状态;
根据工作状态和供电情况确定工作单元并进行复位操作。
10.根据权利要求9所述的复位控制方法,其特征在于:所述根据工作状态和供电情况确定工作单元并进行复位操作的具体方法包括:
若工作状态为按下,供电情况为CMOS清除电路(2)和冷重启电路(3)均存在供电,则此时冷重启电路(3)进行复位操作;
若工作状态为按下,供电情况为CMOS清除电路(2)和冷重启电路(3)均不存在供电,则此时CMOS清除电路(2)进行复位操作,冷重启电路(3)不进行复位操作;
若工作状态为未按下,此时CMOS清除电路(2)和冷重启电路(3)均不进行复位操作。
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