[发明专利]一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器

权利要求书

1.一种薄膜压电声波谐振器，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板内具有反射结构；

设置于所述第一基板上表面，从上至下依次叠层的第一电极、压电片体和第二电极；

所述第一电极、压电片体和第二电极在垂直于所述压电片体表面的方向上设有重叠的区域，所述重叠的区域位于反射结构上方；

在所述重叠的区域内，所述压电片体与所述第一电极之间设有间隙；

隔离空腔，环绕于所述压电片体的外周；

所述间隙与所述隔离空腔相连通。

2.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，还包括声波温度补偿片体，所述声波温度补偿片体位于所述压电片体的上、下表面或者位于所述压电片体的内部。

3.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第二电极的部分边缘在垂直于所述压电片体表面方向上位于所述隔离空腔围成的区域范围内或区域范围外。

4.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电片体为多边形，且所述多边形的任意两条边不平行，所述压电片体的至少部分边界由所述隔离空腔构成。

5.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述隔离空腔暴露出压电片体的全部外周。

6.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电片体与所述基板之间至少设有一个连接桥，所述压电片体未被所述隔离空腔切断的部分构成所述连接桥。

7.如权利要求5或6所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述隔离空腔暴露的所述压电片体边缘的形状包括一个或多个弧形和/或直边。

8.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述间隙的高度为0.1纳米至5微米。

9.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电片体的厚度为0.01微米到10微米。

10.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述反射结构为空腔或者布拉格反射器。

11.如权利要求10所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述反射结构为空腔时，所述隔离空腔与所述空腔相连通，或者所述隔离空腔与所述空腔不连通。

12.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，还包括至少一通孔，所述通孔设置于所述间隙的上方或所述隔离空腔的上方。

13.如权利要求12所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第一电极的上表面还设有盖帽层，所述盖帽层填充所述通孔。

14.如权利要求13所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述盖帽层的材质包括二氧化硅、氮化硅和有机固化膜中的一种或者两种的组合。

15.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述间隙外侧的第一电极与所述压电片体之间具有介质层或者所述第一电极与压电片体接触。

16.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，还包括：第一介质层，所述第二电极嵌设于所述第一介质层。

17.如权利要求16所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，还包括：第二介质层，所述第二介质层界定所述间隙的区域范围。

18.如权利要求16或17所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料包括二氧化硅或氮化硅。