[发明专利]一种单晶硅片的清洗及制绒方法有效
申请号: | 201911422037.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111105995B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 胥俊东 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创真空技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/028 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 乔凤杰 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 清洗 方法 | ||
1.一种单晶硅片的制绒方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将切割好的单晶硅片在氨水溶液中浸泡清洗,且在清洗的过程中不对单晶硅片造成刻蚀;
2)将经过步骤1)处理后的单晶硅片在硝酸和氟化氢的混合酸液中浸泡清洗,并在单晶硅片表面形成10-15μm的刻蚀量,形成光滑的单晶硅片表面;
3)将经过步骤2)处理后的单晶硅片在双氧水和氢氧化钾/氢氧化钠的混合液中进行清洗,在单晶硅片表面形成8-13μm的刻蚀量,同时在单晶硅片表面形成稀疏的硅原子层;
所述氨水溶液中氨水的质量百分数为25~28%;
所述硝酸和氟化氢的混合酸液中,硝酸的体积百分比为5%-8%,氟化氢的体积百分比为5%-10%;
所述双氧水和氢氧化钾/氢氧化钠的混合液中,双氧水质量百分比为5%-8%,氢氧化钾/氢氧化钠的质量百分比为4%-5%;
4)采用氢氧化钾/氢氧化钠和制绒添加剂的混合液对清洗后的单晶硅片进行碱制绒;
所述氢氧化钾/氢氧化钠 和制绒添加剂的混合液中,氢氧化钾的质量百分数为3~4%,制绒添加剂的质量百分数为0.5-1%,余量为去离子水;
所述制绒添加剂由包括如下步骤的方法制备得到:
将玉米爆米花打碎后用纤维素酶、果胶酶和木聚糖酶的混合酶进行酶解,将酶解产物用高锰酸钾氧化;调节高锰酸钾氧化后的酶解产物的pH为8.5~9.5,将酶解产物进行除渣操作,将剩余液体浓缩至其固含量大于50%,即得所述制绒添加剂;
所述酶解的过程中,调整酶解液中玉米爆米花质量百分比为10%-15%,纤维素酶质量百分比为1.5%-2%,果胶酶和木聚糖酶的质量百分比均为0.8%-1.2%,其余为水;
所述高锰酸钾质量为所述酶解产物质量的0.005-0.008倍;
5)碱制绒完成后采用氟硅酸铵溶液对绒面进行打磨;所述氟硅酸铵溶液中氟硅酸铵的质量百分数为0.2~1%。
2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤1)清洗的时间为3~5min;
和/或,步骤2)的清洗时间为5~8min;
和/或,步骤3)的清洗时间为5~8min,清洗方式为鼓泡清洗。
3.根据权利要求1或2所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤1)、步骤2)和步骤3)完成后均用去离子水对单晶硅片进行清洗的操作。
4.权利要求1~3任一项所述制绒方法制备得到的单晶硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造