[发明专利]显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201911420112.1 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN111180489B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 曹中欢;郭林山;沈鹏;冯在武 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 冯伟 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区周缘的非显示区,所述阵列基板还包括薄膜晶体管阵列层,以及位于所述薄膜晶体管阵列层上的平坦化层,和位于所述平坦化层上的像素定义层;
薄膜封装层,所述薄膜封装层覆盖于所述阵列基板上;
所述薄膜封装层包括第一无机层和第二无机层,以及位于所述第一无机层与所述第二无机层之间的第一有机层,所述第一无机层位于所述第二无机层朝向所述阵列基板的一侧;
阻挡部,所述阻挡部采用有机材料,所述阻挡部位于所述阵列基板的非显示区,且所述第一有机层截止于所述阻挡部;
其中,第二有机层,所述第二有机层位于所述阵列基板上,且所述第一无机层位于所述第一有机层与所述第二有机层之间,所述第一无机层包括第一缺口,所述第一有机层填充于所述第一缺口内,且与所述第二有机层接触,或者,所述第二有机层与所述平坦化层同层设置,或者,所述第二有机层与所述像素定义层同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层与所述第二有机层之间的粘附力大于所述第一有机层与第一无机层之间的粘附力,且大于所述第二有机层与所述第一无机层之间的粘附力。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机层包括第二缺口,所述第一缺口与所述第二缺口相邻,且在垂直于所述阵列基板的方向上不交叠,所述第一无机层覆盖于所述第二缺口上。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一缺口和所述第二缺口均位于所述阵列基板的非显示区。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡部包括沿远离所述阵列基板方向上依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层,其中,所述第二有机层与所述第一阻挡层接触且同层设置,所述第二有机层由所述阻挡部朝向所述第二缺口延伸,或者,
所述第二有机层与所述第二阻挡层接触且同层设置,所述第二有机层由所述阻挡部朝向所述第二缺口延伸。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括多个开口区间,所述显示面板的发光元件位于所述多个开口区间内。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机层与第一缺口交叠部分的表面设置有粘合剂,所述第一有机层覆盖于所述粘合剂上。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机层上对应于所述第一缺口的表面设置有至少一个凹槽,所述第一有机层覆盖于所述至少一个凹槽上。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,相邻所述凹槽之间包括第一凹部,所述第一凹部呈梯形结构,所述梯形结构朝向所述显示区的底角为第一底角,朝向所述阻挡部的底角为第二底角,所述第二底角大于所述第一底角。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一底角小于35°,所述第二底角大于45°。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述至少一个凹槽内设置有粘合剂,所述第一有机层覆盖于所述粘合剂上。
12.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机层上对应所述第一缺口的表面上设置有至少一个阶梯,所述第一有机层覆盖于所述阶梯上。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述阶梯的侧面为与所述阵列基板所在平面之间呈第一倾角的斜面,所述第一倾角大于0°小于90°。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述阶梯由所述显示区朝向所述阻挡部逐渐下降,所述第一倾角大于45°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911420112.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





