[发明专利]一种长方体形状的CuInS2 有效
| 申请号： | 201911419461.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111072059B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 黄博;张辉朝 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;C01G9/08;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 长方体 形状 cuins base sub | ||
1.一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)制备CuInS2/ZnS纳米核NCs，提纯后溶于三正辛基磷TOP，获得TOP/NCs溶液，TOP/NCs溶液中纳米核的浓度为40.0～52.6nmol/mL；
(2)在氩气环境下，将硫粉S与TOP混合，超声直至获得澄清的TOP/S溶液，TOP/S溶液中硫的浓度为2.7～4.9mol/L；
(3)将三正辛基氧磷、氧化锌ZnO和油酸在氩气环境下加热至120～130℃反应50～60分钟，再升温到345～350℃使反应物变为澄清的溶液，ZnO、油酸和三正辛基氧磷的物质的量之比为1:5～5.1:3～6.4；
(4)向步骤(3)中的产物注入步骤(1)中的TOP/NCs溶液，设定温度为335～340℃，待温度恢复至335～340℃时注入步骤(2)中的TOP/S溶液，反应15～18分钟后降至室温，得到长方体形状的CuInS2/ZnS纳米晶，ZnO、硫粉和纳米核的物质的量之比为1:3～3.1:2.7×10-5～5.6×10-5。
2.如权利要求1所述的一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法，其特征在于步骤(1)中，CuInS2/ZnS纳米核的平均粒径为2.5～3.5nm。
3.如权利要求1所述的一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法，其特征在于步骤(3)中，ZnO和油酸的物质的量之比为1:5。
4.如权利要求1所述的一种长方体形状的CuInS2/ZnS半导体纳米晶的高效制备方法，其特征在于步骤(4)中，设定温度为340℃，ZnO与硫粉的物质的量之比为1:3。
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