[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备

说明书

本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。本发明还公开了一种具有该谐振器的滤波器及具有该滤波器或谐振器的电子设备。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、一种滤波器，以及一种具有该谐振器或该滤波器的电子设备。

背景技术

近年来随着无线通讯技术领域的高速发展，滤波器在射频前端领域得到了广泛的应用。其中，薄膜体声波谐振器作为体声波射频滤波器的基本组成单元，与声表面波射频滤波器相比，由于具备较小的尺寸、较高的机电耦合系数和Q 值(品质因子)，在射频前端领域，尤其是高频GHz频段上，展现出更大的发展前景。谐振器的Q值越大，声波能量损失越小，以此制备的薄膜体声波滤波器的插入损耗越小，滚降越快。因此薄膜体声波谐振器的Q值成为体声波滤波器器件性能好坏的关键因素。提升谐振器的Q值，有望实现更高性能的射频滤波器，使得体声波滤波器在无线通信领域展现出更大的优势。

如图1所示，传统薄膜体声波谐振器会在有效区域的边缘设置凸起结构100，该声反射层可增加谐振器对声波的反射能力，有提高Q值的作用。在图1中，附图标记如下：10：基底，30：声学镜，50：第一种子层；60：底电极，110：压电层，70：空隙，80：顶电极，90：钝化层，100：凸起结构。

为进一步降低滤波器的插入损耗，提高滚降特性，有必要进一步提高谐振器的Q值。

发明内容

为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；

压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

所述谐振器还包括设置在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间的至少一个下凸起结构，所述至少一个下凸起结构包括第一凸起结构；

顶电极具有桥翼结构，且桥翼结构下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层顶面之间具有间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面；

在谐振器的厚度方向上的投影中，第一凸起结构与第二凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。

本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器的制造方法，所述谐振器包括基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，所述方法包括步骤：

在压电层的顶面的下方与基底的顶面之间设置第一凸起结构；

在顶电极形成桥翼结构，所述桥翼结构的下侧设置有第二凸起结构，第二凸起结构的外侧与压电层的顶面之间存在间隙，且第二凸起结构的内侧延伸到压电层的顶面，

其中：

在谐振器的厚度方向上的投影中，第二凸起结构与第一凸起结构之间在谐振器的有效区域内存在重合部分。

本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。

本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。