[发明专利]芯片表面连接方法、系统及功率模块系统在审
| 申请号： | 201911418639.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111106023A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱贤龙;闫鹏修;刘军 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 表面 连接 方法 系统 功率 模块 | ||
1.一种芯片表面连接方法，其特征在于，包括步骤：
将第一金属颗粒与有机溶剂混合，得到第一金属烧结溶剂；
将所述第一金属烧结剂涂覆在第一连接件与第二连接件间；
压合所述第一连接件与所述第二连接件，并加热所述有机溶剂，以使所述第一连接件与所述第二连接件间形成第一金属烧结连接层。
2.根据权利要求1所述的芯片表面连接方法，其特征在于，所述第一金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
3.根据权利要求2所述的芯片表面连接方法，其特征在于，所述第一金属颗粒包括纳米银颗粒。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的芯片表面连接方法，其特征在于，所述第一连接件包括金属框架，所述第二连接件包括芯片。
5.一种芯片表面连接系统，其特征在于，包括：
第一连接件，所述第一连接件包括第一连接件本体以及设置在所述第一连接件本体的镀第一金属层；其中，所述镀第一金属层由烧结在所述第一连接件本体一侧的第二金属颗粒组成；
第二连接件，所述第二连接件包括第二连接件本体以及设置在所述第二连接件本体的镀第二金属层；其中，所述镀第二金属层由烧结在所述第二连接件本体一侧的第三金属颗粒组成；
其中，所述镀第一金属层与所述镀第二金属层通过第一金属烧结连接层连接。
6.根据权利要求5所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
7.根据权利要求6所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒包括纳米银颗粒。
8.根据权利要求5至7任意一项所述的芯片表面连接系统，其特征在于，所述第二金属颗粒选用所述第一金属颗粒和所述第三金属颗粒材质相同的金属颗粒。
9.一种功率模块系统，其特征在于，包括底板和IGBT功率模块；
所述底板包括底板本体以及设置在所述底板本体的镀第一金属层；其中，所述镀第一金属层由烧结在所述底板本体一侧的第二金属颗粒组成；
所述IGBT功率模块包括IGBT功率模块本体以及设置在所述IGBT功率模块本体的镀第二金属层；其中，所述镀第二金属层由烧结在所述IGBT功率模块本体一侧的第三金属颗粒组成；
其中，所述镀第一金属层与所述镀第二金属层通过第一金属烧结连接层连接。
10.根据权利要求9所述的功率模块系统，其特征在于，所述IGBT功率模块本体包括模封体、功率端子和信号端子；
所述镀第二金属层设置在所述模封体一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
