[发明专利]像素搜索方法有效
| 申请号: | 201911418205.0 | 申请日: | 2019-12-31 | 
| 公开(公告)号: | CN111163317B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 | 
| 发明(设计)人: | 胡开云;刘斌;张磊;陈晓春;吴光华 | 申请(专利权)人: | 上海富瀚微电子股份有限公司 | 
| 主分类号: | H04N19/182 | 分类号: | H04N19/182;H04N19/19;H04N19/587 | 
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 | 
| 地址: | 201103 上海*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 搜索 方法 | ||
1.一种像素搜索方法,其特征在于,包括:
以当前像素点坐标为(0,0);
查询到像素块左上角的坐标为(0,1/2)、(0,-1/2)、(-1/2,0)、(1/2,0)、(-1/2,-1/2)、(-1/2,1/2)、(1/2,-1/2)和(1/2,1/2)的8X8像素块;
对左上角坐标为(0,-1/2)、(-1/2,0)、(-1/2,-1/2)以及(0,0)的像素块进行二分之一像素内插计算得到多个二分之一像素块,左上角坐标为(0,1/2)、(1/2,0)、(-1/2,1/2)和(1/2,1/2)的像素块分别复用左上角坐标为(0,-1/2)、(-1/2,0)、(-1/2,-1/2)和(1/2,-1/2)的像素块的内插计算;
缓存所述二分之一像素块,同时对所有的所述二分之一像素块分别进行SATD计算和COST计算;
对所有的所述二分之一像素块分别进行四分之一像素内插计算得到多个四分之一像素块;
对所有的所述四分之一像素块分别进行SATD计算和COST计算。
2.如权利要求1所述的像素搜索方法,其特征在于,所述SATD计算包括:
计算当前像素点与预设的参考像素点的哈达玛变换;
对哈达玛变化后的值取绝对值求和。
3.如权利要求2所述的像素搜索方法,其特征在于,计算COST的公式如下:
COST=SATD+λ*RATE
其中,COST为代价,SATD是哈达玛变化后的值的绝对值的和,λ是拉格朗日乘数,RATE是哈达玛变化的编码比特数。
4.如权利要求1所述的像素搜索方法,其特征在于,所述二分之一像素内插计算和所述四分之一像素内插计算均包括水平内插和垂直内插。
5.如权利要求3所述的像素搜索方法,其特征在于,将像素块左上角的坐标为(0,1/2)、(0,-1/2)、(-1/2,0)、(1/2,0)、(-1/2,-1/2)、(-1/2,1/2)、(1/2,-1/2)和(1/2,1/2)的像素块分别命名为:(0,1/2)分像素、(0,-1/2)分像素、(-1/2,0)分像素、(1/2,0)分像素、(-1/2,-1/2)分像素、(-1/2,1/2)分像素、(1/2,-1/2)分像素和(1/2,1/2)分像素;所述(-1/2,0)分像素和(1/2,0)分像素的内插计算方法相同,所述(-1/2,1/2)分像素、(1/2,1/2)分像素和(1/2,-1/2)分像素的内插计算方法相同,所述(0,1/2)分像素和(0,-1/2)分像素的内插计算方法相同。
6.如权利要求5所述的像素搜索方法,其特征在于,所述二分之一像素内插计算包括五个周期,其中,第一个周期中,对(0,0)分像素进行SATD计算;第二个周期中,对垂直方向的(0,1/2)分像素和(0,-1/2)分像素的分别完成内插计算和SATD计算;第三个周期中,对水平方向的(-1/2,0)分像素和(1/2,0)分像素的分别完成内插计算和SATD计算;第四个周期中,对(-1/2,-1/2)分像素和(-1/2,1/2)分像素完成内插计算和SATD计算;第五个周期中,对(1/2,-1/2)分像素和(1/2,1/2)分像素完成内插计算和SATD计算。
7.如权利要求6所述的像素搜索方法,其特征在于,对二分之一像素内插计算后的(-1/2,0)分像素块的进行四分之一像素内插计算包括六个周期,其中,第一个周期中,完成(-3/4,0)分像素的内插计算和SATD计算;第二个周期中,完成(-3/4,1/4)分像素的内插计算和SATD计算;第三个周期中,完成(-3/4,-1/4)分像素的内插计算和SATD计算;第四个周期完成(-1/2,-1/4)分像素的内插计算和SATD计算;第五个周期中,完成(-1/4,0)和(-1/2,1/4)两个分像素的内插计算和SATD计算;第六个周期完成(-1/4,1/4)分像素的内插计算和SATD计算。
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