[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：提供阴极；在阴极上形成量子点发光层；在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在第二过渡金属氧化物层远离石墨烯层的一侧形成阳极，得到量子点发光二极管。本发明通过增设第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层的夹心结构作为空穴注入层来提高空穴的注入能力，在量子点发光二极管上实现电子与空穴的主动平衡，提升电子空穴对的复合效率，使器件的发光效率得到提高。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

自QLEDs器件第一次被报道以来，很多研究者致力于高质量的量子点材料的合成以及优化量子点器件的结构来获得高性能、高稳定性的量子点电致发光器件。在早期量子点器件的结构较为简单，例如在两个电极之间夹着量子点材料作为发光层，这种结构器件的外量子效率通常非常低。后来在电极和发光层之间分别引入空穴注入层、空穴传输层和电子注入层、电子传输层，这可以有效的提高器件的整体效率。目前常用作电子传输层的材料的氧化锌，其电子传输速率远远大于一般的空穴层材料(如有机高分子材料聚乙烯基咔唑(PVK)，1,2,4,5-四(三氟甲基)苯(TFB)，聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)等和有机小分子材料4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)等)的空穴传输速率，这就更导致过多的电子被注入到量子点发光层，激子不能有效的在发光层复合，出现了器件发光效率和寿命严重不足的问题。

目前的解决方法是在发光层和氧化锌电子传输层之间加入合适厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层来优化电子-空穴的平衡(被动平衡)，这就大大损失氧化锌传输电子的能力，导致量子点器件整体性能不高，无法满足屏幕发光效率和寿命的需求。当前越来越多的研究发现过渡金属氧化物具有优良的电荷注入和提取能力，并以其稳定性好、无毒、透过率高、易于蒸镀等优点而被认可，但存在功函数偏高与阳极能量不匹配的问题，导致限制了其进一步使用。

因此，现有技术仍有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阴极；

在所述阴极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；

在所述第一过渡金属氧化物层远离所述量子点发光层的一侧形成石墨烯层；

采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；

在所述第二过渡金属氧化物层远离所述石墨烯层的一侧形成阳极，以得到所述量子点发光二极管。

一种量子点发光二极管，其中，包括：

依次层叠设置的阴极、量子点发光层、阳极；

设置在所述量子点发光层和所述阳极之间的叠层；

其中，所述叠层包括：依次层叠设置的第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层，所述第二过渡金属氧化物层靠近所述阳极的一侧设置；