[发明专利]一种加热电路

权利要求书

1.一种加热电路，其特征在于，所述加热电路包括：逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源；其中，所述子电路包括：开关模组、加热元件及检测元件；

所述开关模组分别与所述加热元件及所述检测元件连接；若所述开关模组处于第一开关状态，所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路，所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电，所述加热元件基于所述第一电源的供电发热，所述第一电源获取的电压为强电电压；

若所述开关模组处于第二开关状态，所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路，所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电，所述第二电源获取的电压为弱电电压；

所述开关模组包括：第一开关元件及第二开关元件；所述第一开关元件与所述加热元件连接；所述第二开关元件与所述检测元件连接；若所述第一开关元件导通，且所述第二开关元件断开，所述开关模组处于所述第一开关状态；若所述第一开关元件断开，且所述第二开关元件导通，所述开关模组处于所述第二开关状态。

2.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述开关模组包括：

第一端，与所述加热元件连接；

第二端，与所述逆变电路连接；

第三端，与所述检测元件连接；

若所述第一端与所述第二端连接，所述开关模组处于所述第一开关状态；

若所述第一端与所述第三端连接，所述开关模组处于所述第二开关状态。

3.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，其中，所述子电路为N个，N个子电路并联连接；

其中，所述N为大于1的整数。

4.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述子电路包括：第一MOS管、第二MOS管；

所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接，所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述检测元件连接；

所述第二MOS管的源极与接地点连接。

5.根据权利要求1或4所述的加热电路，其特征在于，所述子电路还包括：第一电容；

所述第一电容连接位于所述开关模组与所述检测元件之间；其中，所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。

6.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述检测元件包括：第一电阻和第二电阻；所述子电路包括：第三MOS管和第四MOS管；

所述第一电阻连接在所述第三MOS管的漏极与所述第二电源之间；

所述第二电阻连接在所述第四MOS管的源极与接地点之间；

所述第三MOS管的源极分别与所述第四MOS管的漏极及所述开关模组连接；

其中，所述第二电阻基于所述第二电源的供电，检测所述加热元件的电阻。

7.根据权利要求1至4、6任一项所述的加热电路，其特征在于，所述第一电源为用于提供第一电压的电源，所述第二电源为用于提供第二电压的电源；其中，所述第一电压大于所述第二电压；

或者，

所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时，流经所述加热元件的电流为第一电流；

所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时，流经所述加热元件的电流为第二电流；

其中，所述第一电流大于所述第二电流。

8.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述逆变电路包括：第一IGBT和第二IGBT；

所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接，所述第一IGBT的发射极与分别与所述开关模组及所述第二IGBT的集电极连接；

所述第二IGBT的发射极接地。

9.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述加热电路还包括：第二电容；其中，

所述第二电容连接在所述加热元件与接地点之间；

若所述开关模组处于所述第一开关状态，所述第二电容用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率；

若所述开关模组处于所述第二开关状态，所述第二电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。