[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池，包括：硅层衬底、设置在所述硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在所述硅层衬底背面的本征非晶硅层二，所述本征非晶硅层一的正面依次设置有掺杂非晶硅层一、TCO层一和正面金属电极，所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层二、TCO层二和背面金属电极，其特征在于，所述TCO层一和TCO层二的表面设有凹槽，凹槽的深度分别小于TCO层一、TCO层二的厚度，所述正面、背面金属电极填充在所设凹槽处，分别形成金属导电层一和金属导电层二；

所述金属导电层一覆盖、填充在TCO层一的凹槽处；

所述金属导电层二覆盖、填充在TCO层二的凹槽处。

2.根据权利要求1所述的一种异质结电池，其特征在于，所述TCO层一、TCO层二的材料选择，包括ITO、IWO、AZO、IZO、ITiO等TCO材料中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种异质结电池，其特征在于，所述TCO层一、TCO层二的厚度均为70-120nm。

4.根据权利要求1所述的一种异质结电池，其特征在于，所述凹槽深度为20-70nm，凹槽与掺杂非晶硅之间的TCO厚度为10-50nm；凹槽宽度为0.3-1.2mm，凹槽之间的间隔距离为3-35mm。

5.根据权利要求1所述的一种异质结电池，其特征在于，所述金属导电层一、金属导电层二的材料选择，包括银、铜、铝中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种异质结电池，其特征在于，所述金属导电层一、金属导电层二的厚度均为14-30μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，对N型单晶硅片表面进行清洗和制绒，形成织构化表面的硅层衬底；

S2，通过PECVD法，在硅层衬底的正面形成本征非晶硅层一，在背面形成本征非晶硅层二；

S3，通过PECVD，在本征非晶硅层一的正面形成掺杂非晶硅层一，在本征非晶硅层二的背面形成掺杂非晶硅层二；

S4，通过RPD或者PVD，在掺杂非晶硅层一的正面形成TCO层一，在掺杂非晶硅层二的背面形成TCO层二；

S5，分别对TCO层一、TCO层二进行激光刻蚀，形成凹槽；

S6，通过丝网印刷得到正面、背面金属电极，使金属电极的主栅线覆盖、填充在凹槽的区域，烘干；

S7，固化正面、背面金属电极得到异质结电池。