[发明专利]一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区，所述中间区包括沟道区和轻掺杂区，所述轻掺杂区包括分别设置于所述沟道区相对两侧的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区靠近所述源极区设置，所述第二轻掺杂区靠近所述漏极区设置；

位于所述有源层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述中间区；

位于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合；

位于所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接；

所述薄膜晶体管的阈值电压与所述薄膜晶体管第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的长度呈正相关关系；

所述有源层的主体材料为金属氧化物半导体，掺杂材料为稀土氧化物和/或过渡族金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的长度取值范围为0.5～10.0um。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度取值范围为150nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化钽以及氧化锆中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的长度取值范围均为0.1～1.5um。

6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的显示基板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，用于制备权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

提供所述衬底基板；

在所述衬底基板上形成依次层叠的图形化的所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极；

采用PECVD工艺在所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上形成第一绝缘层，同时以所述栅极绝缘层以及所述栅极为掩膜介质，利用PECVD工艺中前驱气体分解出的氢离子对所述有源层进行高导处理，以形成所述源极区、所述漏极区、所述沟道区、所述第一轻掺杂区以及所述第二轻掺杂区；

形成所述源极和所述漏极；

所述在所述衬底基板上形成依次层叠的图形化的所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极包括：

在所述衬底基板上形成图形化的所述有源层；

在所述有源层上形成覆盖所述衬底基板以及所述有源层的整层栅极绝缘层；

在所述整层栅极绝缘层上形成整层栅极层；

在所述整层栅极层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层包括第一光刻胶部和位于所述第一光刻胶部上的第二光刻胶部，所述第一光刻胶部在所述衬底基板上垂直投影与所述中间区在所述衬底基板上的垂直投影重合，所述第二光刻胶部在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合；

以所述光刻胶层为掩膜，图形化所述整层栅极层以及所述整层栅极绝缘层，以获得准栅极以及栅极绝缘层，所述准栅极在所述衬底基板上垂直投影与所述中间区在所述衬底基板上的垂直投影重合；

减薄所述光刻胶层，减薄后的所述光刻胶层在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合；

以减薄后的所述光刻胶层为掩膜，图形化所述准栅极，以获得所述栅极；

去除减薄后的所述光刻胶层。