[发明专利]一种异形陶瓷二次金属化方法

说明书

本发明提供了一种异形陶瓷二次金属化方法，该包括以下步骤：对经钼锰烧结处理后的异形陶瓷依次进行超声波清洗、酸活化、沉钯、换挂、预浸镍、化学镀镍，经过清洗后得到表面二次金属化的异形陶瓷。本发明的通过控制协同控制沉钯和镀镍过程中的各项工艺参数，可以实现异形陶瓷的钼锰层能够上镍，而未包覆钼锰层的陶瓷表面不上镍，且工艺稳定，操作简单，生产效率高，适合大批量生产。

技术领域

本发明属于电镀技术领域，尤其涉一种异形陶瓷二次金属化方法。

背景技术

目前，一般采用电镀对陶瓷壳体的各个表面进行局部二次金属化，这些电镀方法通常包括：滚电镀、在化学镍中强制上镍、挂镀电镀、挂镀化学镍、滚化学镀等。由于异形陶瓷的壳体形状各异，壳体表面通常还设置了多个小孔，电镀过程中不好制作配套的挂具，通常采用化学镍强制上镍，或者绑铜丝进行滚镀，但这些方法均只能局限于小批量生产，无法实现规模化生产。用作继电器壳体的异形陶瓷，对气密性的要求较高，滚镀生成的金属镀层容易缺损，而且绑铜丝需人工操作，费时费力，还容易对镍层产生划痕。当对异形陶瓷的多个局部按顺序强制上镍时，由于存在时间差，会导致每个局部镍层厚度不一致，影响金属化后异形陶瓷的使用性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，克服以上背景技术中提到的不足和缺陷，提供一种异形陶瓷二次金属化方法。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：

一种异形陶瓷二次金属化方法，包括以下步骤：

对经钼锰烧结处理后的异形陶瓷依次进行超声波清洗、酸活化、沉钯、换挂、预浸镍、化学镀镍，经过清洗后得到表面二次金属化的异形陶瓷。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述沉钯的温度为20-30℃，沉钯的时间为2-3分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，沉钯液中含有浓度为40-60ppm的钯离子和浓度为1-2mol/L的硫酸。沉钯液中的提供钯离子的钯盐为硫酸钯，其余钯盐中的阴离子比如氯离子会影响镍对陶瓷的渗透，发生溢镀。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述预浸镀镍的镀镍液中含有浓度为50-120g/L的NaH₂PO_2.·H₂O和浓度为100-150g/L的NaOH。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述预浸镀镍的温度为40-60℃，时间为1-2分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述化学镀镍的镀镍液中含有浓度为90-110ml/L的MK689A、浓度为90-110ml/L的MK689B和浓度为180-240ml/L的MK689C。本发明中MK689A的主要成分是硫酸镍，镍离子的浓度为3-6g/L，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司；MK689B的主要成分是次亚磷酸钠，其浓度为10-15g/L，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司；MK689C的主要成分是络合剂，包括柠檬酸钠、苹果酸、丁二酸中的两种或三种，络合剂总含量为30-60g/L，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述化学镀镍的温度为40-50℃，时间为40-60分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述超声清洗在洗涤剂中进行，超声清洗的温度为50-60℃，时间为2-5分钟，超声清洗后再用去离子水清洗。洗涤剂一般选用洗洁精，洗洁精中含有壬基酚聚氧乙烯醚等表面活性剂，表面活性剂的含量为5-10ml/l。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述酸活化在硫酸溶液中进行，硫酸的浓度为1-2mol/L，酸活化的温度为20-30℃，时间为30-60秒。

与现有技术相比，本发明的优点在于：