[发明专利]一种H桥短路保护电路

权利要求书

1.一种H桥短路保护电路，其包括比较器COMP1和比较器COMP，所述比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端，所述PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端，所述PMOS管PM2的栅端和所述PMOS管PM0的栅端相连，所述PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、所述电阻R0另一端，所述NMOS管NM2的栅端和所述NMOS管NM0的栅端相连，所述NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地，所述电阻R1另一端连接所述NMOS管NM2的源端和所述比较器COMP的输入端，所述比较器COMP1的输出端与所述比较器COMP的输出端连接或门的输出端，所述或门的输出端为OUT端口，其特征在于，所述比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3，所述PPMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3的栅端分别为所述比较器COMP1的输入端，所述PMOS管PM10的源端与所述PMOS管PM1的源端相连后连接所述PMOS管PM4的漏端，所述PMOS管PM9的源端与所述PMOS管PM3的源端相连后连接所述PMOS管PM5的漏端，所述PMOS管PM1的漏端与所述PMOS管PM9的漏端相连后连接PMOS管PM7的漏端、NMOS管NM1的漏端、NMOS管NM4的栅端，所述PMOS管PM10的漏端与所述PMOS管PM3的漏端相连后连接PMOS管PM6的漏端、NMOS管NM3的漏端和栅端、所述NMOS管NM1的栅端，所述NMOS管NM3的源端、NMOS管NM1的源端、NMOS管NM2的源端均接地，所述NMOS管NM2的漏端连接PMOS管PM8的漏端并为所述比较器COMP1的输出端，所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM8的栅端相连，所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6 、PMOS管PM7、PMOS管PM8的源端相连后连接VDD。