[发明专利]一种高性能的振荡器

权利要求书

1.一种高性能的振荡器，其特征在于，包括：

第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC；

第一电阻R1的一端接电源电压VDD，另一端接第一NMOS管N1的漏级，第一NMOS管N1的栅级接第二NMOS管N2的栅级、施密特触发器SMT的输出端、以及反相器INV1的输入端，第一NMOS管N1的源极接第二NMOS管N2漏/源极、第三NMOS管N3的漏极、以及第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地，第二电容C2的一端接电源电压，另一端接第二NMOS管N2的源/漏极、第四NMOS管N4的漏/源极、以及所述施密特触发器SMT的输入端；反相器INV1的输出端接第三NMOS管N3的栅级以及第四NMOS管N4的栅级，第四NMOS管N4的源/漏极接第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地。

2.根据权利要求1所述一种高性能的振荡器，其特征在于，根据设计需要选择调整电阻R1与R2的阻值、或者调整电容C1与C2的容值、或者施密特触发器的导通电压与关断电压阈值来控制振荡器的频率及占空比。

3.根据权利要求1所述一种高性能的振荡器，其特征在于，放电时，所述振荡器的压差变化是依据所述施密特触发器的电压阈值差值调整。

4.根据权利要求1所述一种高性能的振荡器，其特征在于，所述振荡器设置在芯片中。

5.根据权利要求1所述一种高性能的振荡器，其特征在于，所述NMOS管N1-N4可替换为NPN管。