[发明专利]一种集成电路密封腔体内部水汽和氢气含量的控制方法

权利要求书

1.一种集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：该方法是在集成电路封装过程中进行气氛控制，具体包括如下步骤：

(1)将盖板和管壳进行预处理：所述预处理是指对盖板和管壳进行烘焙处理；对于盖板和焊料环为一体的原材料，先将盖板上的焊料环进行拆卸后，再对盖板进行烘焙处理；所述拆卸过程为：将盖板放置在平面上，使焊料环朝上，使用拆卸工具将焊料环拆卸，所述拆卸工具为刀片；所述盖板和管壳的烘焙处理在真空烧结炉中进行，具体包括如下步骤(A)-(F)：

(A)抽真空：在室温条件下进行抽真空，抽至炉内真空度为0.1～1.5mbar；

(B)升温Ⅰ：真空烧结炉腔体从室温加热到预热温度T1，T1＝100～150℃；

(C)恒温Ⅰ：真空烧结炉腔体温度在T1温度时持续时间为t1，t1＝1～2.5小时；

(D)升温Ⅱ：真空烧结炉腔体从T1加热到预热温度T2，T2＝370～450℃；

(E)恒温Ⅱ：真空烧结炉腔体温度在T2时持续时间为t2，t2＝48～96小时；

(F)降温：设置一种或多种降温斜率进行冷却；

(2)待密封半成品电路预处理：采用高温烘箱对待密封半成品电路进行高温烘焙，烘焙温度为100～150℃，烘焙时间为200min～300min；

(3)密封装配：包括焊料环装配、密封和时间控制过程。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：步骤(A)抽真空过程，采用1次或多次抽真空过程达到预定真空度。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：通过步骤(A)抽真空过程达到预定真空度后，一直保持，贯穿整个烘焙过程。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：步骤(2)中，采用高温烘箱进行高温烘焙过程中采用高纯氮气进行保护，氮气纯度在99.99％以上。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：步骤(3)中，所述焊料环装配过程，是将待密封电路的半成品、拆卸的焊料环和盖板按照次序叠装在一起，并采用夹具进行固紧和夹持。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：步骤(3)中，所述密封过程，是根据焊料环的熔化温度，选取合适的密封工艺曲线进行密封。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装腔体内部水汽和氢气含量的控制方法，其特征在于：步骤(3)中，所述时间控制过程，是指从完成对待密封半成品电路的高温烘焙过程起，到开始进行焊料环的密封时止，这段时间控制在30min以内。