[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。另外，所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层，电子可隧穿注入到电子传输层，有利于阴极中的电子注入到电子传输层，从而提高电子注入效率，进而提高器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点具有发光效率高，光、热及化学稳定性好，简单的溶液加工和成膜的特点，使其在电致发光器件方面具有广泛的应用前景。目前，量子点发光二极管(QLED)红、绿、蓝的外量子效率(EQE)达15％以上，但与溶液制备OLED器件的寿命相比仍有差距，尤其是蓝光QLED寿命较低，且在蓝光器件中存在电子传输层导带能级低于量子点层的导带能级，一方面电子传输层和量子点层存在电子注入势垒，另一方面量子点导带能级的电子会向ZnO导带能级跃迁，产生电荷分离，导致蓝光器件中存在电子注入不有效的问题，需要选择合适的电极材料，优化器件制备方法，增加器件老化机制及抗水氧侵蚀能力，增加电荷注入及载流子注入平衡，来改善器件效率及寿命，以满足商业化需求。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在一定程度解决现有量子点发光二极管寿命不够理想的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成金属电极层；

对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管；

或者，

提供阴极；

在所述阴极上形成金属电极层；

对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成阳极，得到量子点发光二极管。

一种量子点发光二极管，其中，包括阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层，所述阴极靠近所述量子点发光层的一侧设置有金属氧化物层，所述金属氧化层位于所述量子点发光层及所述阴极之间。

有益效果：本发明中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极层，通过氧化处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种正置结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图2为本发明实施例提供的一种正置结构的量子点发光二极管的结构示意图。

图3为本发明实施例提供的一种倒置结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

具体实施方式