[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911408618.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111081721B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 李杰良 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,沿垂直于显示面板出光方向,显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层;第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极,第一有源膜和第二有源膜设置于第一有源层,第一栅极设置于第一金属层,第一源极和第一漏极设置于源漏极金属层;过渡金属层包括第一过渡金属膜;第二金属层包括第一金属膜,第一过渡金属膜和第一金属膜之间形成存储电容,且第一金属膜和第一过渡金属膜在衬底基板上的正投影重合,第一金属膜和第一有源膜、第二有源膜在衬底基板上的正投影不重合,从而避免了存储电容漏流增大的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着近来移动通信终端和笔记本电脑之类的各种便携式电子器械的发展,对于可应用于便携式电子器械的平板显示装置的需求日益增加。
在常规的显示装置中,被形成在显示面板中的像素电路一般仅设置LTPS(LowTemperature Poly-silicon,低温多晶硅)结构的薄膜晶体管,且存储电容的设置在层叠结构上往往会和有源层的设置相交叠,或者与层叠结构中存在的连接两个膜层结构的过孔相交叠,如此设置会导致存储的电容的漏流增大,不利于存储电容的正常工作,从而也会对显示面板的显示效果造成影响。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板及显示装置,以解决显示面板中所设置的薄膜晶体管和存储电容的形成会导致存储的电容的漏流增大的问题。
第一方面,本申请提供一种显示面板,沿垂直于所述显示面板的出光面的方向,所述显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层;
所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层,所述第一栅极设置于所述第一金属层,所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层;所述过渡金属层包括第一过渡金属膜;
所述第二金属层包括第一金属膜,所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容,且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合,所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。
第二方面,本申请提供一种显示模组,所述显示模组包括显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的一种显示面板及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请所提供的显示面板中包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管,且通过在低温多晶硅薄膜晶体管所在的膜层层叠位置形成的存储电容不与低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源膜在层叠方向上交叠,从而避免了存储电容漏流增大的问题,有利于显示面板的显示效果的提升;且本申请显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管、存储电容和氧化物薄膜晶体管三者的制程都是相互独立的,有利于工艺调试的方便性。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图;
图2所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构示意图;
图3所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的另一种结构示意图;
图4所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的再一种结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的