[发明专利]一种半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：

基板；

绝缘层，所述绝缘层位于所述基板之上，在所述绝缘层内制备有电容器开口和连接插塞；

动态随机存取存储器DRAM单元，所述DRAM单元包括电容器，所述电容器采用圆桶Cylinder结构，所述电容器形成于所述绝缘层的顶部、所述电容器开口的侧壁和所述电容器开口的底部；

电阻式随机存取存储器RRAM单元，所述RRAM单元包括可变电阻结构，所述可变电阻结构采用平面结构，所述可变电阻结构形成于所述绝缘层的顶部与所述连接插塞相连；

其中，所述DRAM单元和所述RRAM单元相互隔离，且所述DRAM单元的电容器与所述RRAM单元的可变电阻结构是采用相同的材料制成的金属-绝缘体-金属MIM结构。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件还包括：

外围电路单元，所述外围电路单元包括电路，所述电路位于所述绝缘层的顶部与所述连接插塞相连，所述电路用于连接所述DRAM单元和所述RRAM单元；

所述外围电路单元与所述DRAM单元和所述RRAM单元均相互隔离。

3.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中开口；

在所述绝缘层拟制备DRAM电容的开口上方形成罩幕层；

在所述绝缘层未沉积第一罩幕层的开口处制备连接插塞；

移除所述罩幕层；

形成底电极；

在所述底电极之上形成绝缘体；

在所述绝缘体之上形成第二牺牲层；

对所述第二牺牲层进行蚀刻；

沉积吸氧层；

使用光刻在所述吸氧层上定义阵列区域，移除所述阵列区以外的吸氧层；

移除所述第二牺牲层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述绝缘层拟制备DRAM单元电容器的开口处制备电容器，并所述绝缘层之上拟制备RRAM单元可变电阻结构的位置处制备所述RRAM单元的可变电阻结构之前，

在所述绝缘层之上拟制备外围电路单元电路的位置处沉积罩幕层；

在所述绝缘层拟制备DRAM单元电容器的开口处制备电容器，并所述绝缘层之上拟制备RRAM单元可变电阻结构的位置处制备所述RRAM单元的可变电阻结构之后，

移除所述罩幕层；

在所述绝缘层之上拟制备外围电路单元电路的位置处制备外围电路，所述外围电路单元包括连接所述DRAM单元和所述RRAM单元的电路。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成底电极包括：

沉积底电极；

形成第一牺牲层；

使用光刻在所述第一牺牲层上定义阵列区域，使用干蚀法去除牺牲层，切掉部分底电极；

移除所述第一牺牲层。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述底电极之上形成绝缘体包括：

在所述底电极之上形成高介电常数绝缘材料的绝缘体。