[发明专利]一种物性分析试片的制备方法在审
| 申请号： | 201911406718.X | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113013046A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄邦浩;谌昱涵 | 申请（专利权）人： | 汎铨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 胡少青;许媛媛 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物性 分析 试片 制备 方法 | ||
1.一种物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述物性分析试片的制备方法包括以下步骤：
提供一待进行物性分析的样品；以及
形成一低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜于所述待进行物性分析的样品表面，制备出一物性分析试片。
2.如权利要求1所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜是利用无电浆辅助的原子层沉积法于温度低于摄氏40度条件下沉积获得。
3.如权利要求2所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物。
4.如权利要求3所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化铂(PtO2)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锆氧化物(IGZO)。
5.如权利要求3所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述金属氮化物为氮化铝(AlN)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)。
6.如权利要求3所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述金属氮氧化物为氮氧化钽(TaON)。
7.如权利要求1至6中任一项所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，还包括一步骤，使所述物性分析试片表面的所述低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜被进行一减薄处理。
8.如权利要求7所述的物性分析试片的制备方法，其特征在于，所述减薄除理步骤是利用一聚焦离子束系统进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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