[发明专利]用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置在审
申请号: | 201911405406.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113122825A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 姜勇;汪国元 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 沉积 装置 托盘 | ||
1.一种用于化学气相沉积装置的托盘,其特征在于,包括:
托盘,可沿其中心轴转动,设有若干个基片槽,所述基片槽用于容纳待处理基片,每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段,所述基片槽具有槽中心,所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离,所述近心段到槽中心的距离为第二距离,所述第一距离大于第二距离。
2.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,若干个所述基片槽的槽中心围成一个圆,所述圆的中心与托盘的中心重合。
3.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,若干个所述基片槽的槽中心围成多个同心圆,所述多个同心圆的中心与托盘的中心重合。
4.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述远心段和近心段之间所述第一补偿段的个数为1个或者多个。
5.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述远心段还包括第二补偿段,所述第二补偿段到槽中心的距离为第三距离,所述第三距离大于第二距离。
6.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述第一距离与第二距离的差为:0.1毫米~2毫米。
7.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述第一补偿段的深度为:0.5毫米~2毫米。
8.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述晶圆的尺寸包括:2寸、3寸、4寸、5寸、6寸、8寸和12寸。
9.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述托盘的材料包括:石墨或者碳化硅。
10.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述待处理基片具有缺口,所述缺口朝向远心段,且所述缺口周围的待处理基片与所述远心段接触。
11.一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括:
反应腔;
如权利要求1至权利要求10任一项的所述托盘,位于所述反应腔内。
12.如权利要求11所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述化学气相沉积装置包括:金属有机化合物化学气相沉积装置。
13.如权利要求11所述的化学气相沉积装置,其特征在于,还包括:加热装置,用于对所述托盘加热;气体喷淋头,位于所述反应腔内,与所述托盘相对设置;气体输送装置,用于向气体喷淋头内输送反应气体。
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的