[发明专利]晶圆级3D封装结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种晶圆级3D封装结构及其制备方法，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本发明可实现芯片的晶圆级3D封装，且在晶圆级3D封装结构中，用于塑封的第二塑封层将第一塑封层塑封在第二塑封层的内部，且第三塑封层将第二塑封层塑封在第三塑封层的内部，从而形成依次包覆的塑封层，可使晶圆级3D封装结构具有较好的尺寸收益、集成度及可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种晶圆级3D封装结构及其制备方法。

背景技术

随着芯片与电子产品中高性能、小尺寸、高可靠性以及超低功耗的要求越来越高，促使先进封装技术不断突破发展，同时在人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网等新兴产业的发展下，使得三维(3D)集成先进封装的需求越来越强烈。

在传统板级模组中，在尝试3D封装时，需要较复杂的工序，3D封装实现度非常低，从而难以实践正、反两面导通的封装方式。而现有的3D封装结构中，由于需要多次堆叠塑封，从而降低了3D封装结构的尺寸收益、集成度及可靠性等。

因此，在先进晶圆级封装工艺范畴中，提供一种具有较好的尺寸收益、高集成度及优异的可靠性等的晶圆级3D封装结构及其制备方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆级3D封装结构及其制备方法，用于实现3D封装，并解决现有3D封装结构存在的尺寸收益、集成度及可靠性等较低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明一种晶圆级3D封装结构，所述晶圆级3D封装结构包括：

重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；

第一电连接结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；

第一塑封层，位于所述重新布线层的第一表面，将所述第一电连接结构塑封，且所述第一塑封层在所述重新布线层的第一表面的正投影位于所述重新布线层的第一表面内；

第一层间金属层，位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第一电连接结构电连接；

第二电连接结构，位于所述第一层间金属层的表面，且与所述第一层间金属层电连接；

第二塑封层，位于所述重新布线层的第一表面，将所述重新布线层、第一塑封层、第一层间金属层及第二电连接结构塑封，且所述第二塑封层在所述重新布线层的第一表面的正投影与所述重新布线层的第一表面重合；

第二层间金属层，位于所述第二塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第二电连接结构电连接；

芯片，倒装键合于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；

焊球凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；

第三塑封层，位于所述重新布线层的第二表面，将所述重新布线层、芯片、焊球凸块及第二塑封层塑封，且显露部分所述焊球凸块。

可选地，所述第一塑封层的宽度范围包括285mm～295mm；所述第二塑封层的宽度范围包括290mm～300mm；所述第三塑封层的宽度范围包括295mm～305mm。

可选地，还包括位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面的第一层间介电层。

可选地，所述第一电连接结构包括焊线或导电柱；所述第二电连接结构包括焊线或导电柱。

可选地，所述焊线或导电柱的底部还包括横截面积大于所述焊线或导电柱的金属连接件。