[发明专利]激光调阻方案的获取方法、激光调阻方案和片式电阻

说明书

本发明涉及激光修阻技术领域，尤其涉及一种激光调阻方案的获取方法、激光调阻方案和片式电阻。该激光调阻方案的获取方法包括以下步骤：对待调电阻以蛇形刀口进行一次切割，以使待调电阻的阻值精度达到预定精度，预定精度的取值范围为0.1％‑1％；对待调电阻以对切刀口进行二次切割；判断待调电阻的阻值精度是否达到目标精度；如果待调电阻的阻值精度达到目标精度，确定激光调阻方案为依次以蛇形刀口和对切刀口对毛坯电阻进行切割。该激光调阻方案由该激光调阻方案的获取方法获取。该片式电阻通过该激光调阻方案生产。该激光调阻方案的获取方法、该激光调阻方案和该片式电阻，能够提高成品电阻的精度和良率。

技术领域

本发明涉及激光修阻技术领域，尤其涉及一种激光调阻方案的获取方法、激光调阻方案和片式电阻。

背景技术

激光调阻的原理是利用一束极细的激光束打在厚、薄膜电阻上，电阻体气化蒸发，以实现厚、薄膜电路的切割，通过改变电阻的导电截面积，提高电阻精度。

为了将电阻精度从1％提高到0.1％，通常采用二次调阻的方法进行激光修阻。经过第一次调阻操作后，通常切割到目标值的1％至1.5％的精度范围内，然后通过第二次调阻操作后，切割到目标值的0.1％的精度范围内。

但是目前的这种二次调阻方法，普遍存在二次调阻后，电阻的精度低且良率低的问题。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种激光调阻方案的获取方法，以获取一种能够在一定程度上解决目前的二次调阻方法普遍存在的二次调阻后电阻精度低及良率低的技术问题的激光调阻方案。

本发明的第二目的在于提供一种激光调阻方案，以在一定程度上解决目前的二次调阻方法普遍存在的二次调阻后电阻精度低及良率低的技术问题。

本发明的第三目的在于提供一种片式电阻，以在一定程度上解决目前的二次调阻方法普遍存在的二次调阻后电阻精度低及良率低的技术问题。

为了实现目的，本发明提供了以下技术方案；

基于上述第一目的，本发明提供的激光调阻方案的获取方法，包括以下步骤：

将毛坯电阻中的一个作为待调电阻，对所述待调电阻以蛇形刀口进行第一次切割，以使所述待调电阻的阻值精度达到预定精度，所述预定精度的取值范围为0.1％-1％；

对所述待调电阻以对切刀口进行第二次切割；

判断所述待调电阻的阻值精度是否达到目标精度；

如果所述待调电阻的阻值精度达到所述目标精度，确定所述激光调阻方案为依次以所述蛇形刀口和所述对切刀口对毛坯电阻进行切割。

在上述任一技术方案中，可选地，所述判断所述待调电阻的阻值精度是否达到所述目标精度的步骤之后还包括以下步骤：

如果所述待调电阻的阻值精度未达到所述目标精度，则更换所述待调电阻；

对更换后的所述待调电阻循环以上步骤，直至所述待调电阻的阻值精度达到所述目标精度。

在上述任一技术方案中，可选地，所述对所述待调电阻以所述对切刀口进行第二次切割的步骤具体包括：

对所述待调电阻以第一刀口进行切割，获取所述待调电阻的实际阻值与目标阻值之间的差值；

根据所述差值确定第二刀口的长度，对所述待调电阻以所述第二刀口进行切割。

在上述任一技术方案中，可选地，所述第一刀口的长度小于所述待调电阻的宽度的一半；

和/或，所述差值越大，所述第二刀口的长度越大；所述差值越小，所述第二刀口的长度越小。