[发明专利]存储结构电荷保持性能的检测方法及检测装置

权利要求书

1.一种存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成一存储结构，所述存储结构包括衬底、位于所述衬底表面的堆叠层以及覆盖于所述堆叠层表面的绝缘层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的隧穿层、电荷捕获层和阻挡层；

施加一检测电压至所述存储结构；

判断所述检测电压施加的时间是否达到预设时间，若是，则停止施加所述检测电压；

停止向所述存储结构施加所述检测电压后，获取所述存储结构放电过程中的放电电容随时间变化的第一性能曲线。

2.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，形成一存储结构的具体步骤包括：

提供一衬底；

依次沉积所述隧穿层、所述电荷捕获层和所述阻挡层于所述衬底表面，形成所述堆叠层；

形成覆盖所述阻挡层表面的所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，所述衬底表面还包括自然氧化层，所述堆叠层位于所述自然氧化层表面。

4.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，施加一检测电压至所述存储结构之前，还包括如下步骤：

获取所述存储结构充电过程中充电电容随电压变化的第二性能曲线；

分析所述第二性能曲线，以所述充电电容开始保持稳定时所对应的电压作为所述检测电压。

5.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，施加一检测电压至所述存储结构的具体步骤包括：

采用汞探针施加一检测电压至所述存储结构。

6.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，所述预设时间为5s～15s。

7.根据权利要求1所述的存储结构电荷保持性能的检测方法，其特征在于，所述衬底为多晶硅衬底。

8.一种存储结构电荷保持性能的检测装置，其特征在于，包括：

处理模块，用于向一存储结构施加检测电压，所述存储结构包括衬底、位于所述衬底表面的堆叠层以及覆盖于所述堆叠层表面的绝缘层，所述堆叠层包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的隧穿层、电荷捕获层和阻挡层；所述处理模块还用于判断所述检测电压施加的时间是否达到预设时间，若是，则停止施加所述检测电压；

获取模块，用于在停止向所述存储结构施加所述检测电压后，获取所述存储结构放电过程中的放电电容随时间变化的第一性能曲线。

9.根据权利要求8所述的存储结构电荷保持性能的检测装置，其特征在于，所述获取模块还用于获取所述存储结构充电过程中充电电容随电压变化的第二性能曲线；所述存储结构电荷保持性能的检测装置还包括：

分析模块，用于分析所述第二性能曲线，获取所述充电电容开始保持稳定时所对应的电压，并获取的电压作为所述检测电压。

10.根据权利要求8所述的存储结构电荷保持性能的检测装置，其特征在于，所述处理模块包括汞探针，所述汞探针用于施加所述检测电压至所述存储结构。

11.根据权利要求8所述的存储结构电荷保持性能的检测装置，其特征在于，所述预设时间为5s～15s。

12.根据权利要求8所述的存储结构电荷保持性能的检测装置，其特征在于，所述衬底为多晶硅衬底。