[发明专利]一种压力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201911403875.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111174957A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 桑新文;盛云 | 申请（专利权）人： | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00;G01L19/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 制备 方法 | ||
1.一种压力传感器，其特征在于，
该压力传感器包括自下而上叠至的硅衬底、粘结层、检测电路及硅膜结构，
其中，该粘结层中设置空腔，检测电路设置于该硅膜结构朝向该硅衬底的一侧。
2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该粘结层为致密二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该空腔的深度为1-2μm。
4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该硅膜结构上设置镂空部，该检测电路的焊垫自该镂空部部中露出。
5.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，该硅膜结构中设置贯孔，该硅膜结构远离该硅衬底的一侧设置引线焊垫，其中，该贯孔的底端对应该检测电路的焊垫，该贯孔的顶端对应该引线焊垫。
6.如权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，该贯孔中还填充导电材料，该导电材料电性连接该引线焊垫与该检测电路的焊垫。
7.如权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，该导电材料为铜、铝、钛、钨、多晶硅或者其组合。
8.如权利要求1所述的压力传感器，特征在于，该硅膜结构与该硅衬底通过该粘结层进行低温硅硅键合。
9.如权利要求8所述的压力传感器，其特征在于，该低温硅硅键合的温度为小于400℃。
10.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
步骤S1：提供第一硅圆片，依次形成检测电路、粘结层于该第一硅圆片的一侧；
步骤S2：形成空腔与该粘结层中；
步骤S3：提供第二硅圆片；
步骤S4：低温硅硅键合该第一硅圆片与该第二硅圆片，使得该检测电路夹设于该第一硅圆片与该第二硅圆片之间；以及
步骤S5：减薄该第一硅圆片远离该第二硅圆片一侧的厚度；
其中，该粘结层为致密二氧化硅层，该低温硅硅键合的温度为小于400℃。
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