[发明专利]一种高纯硫化锑的制备方法有效
申请号: | 201911403754.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111115684B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 戴卫平;陈巍;郑春阳;韩龙;李建国;宋春丽;陈浩;马祥亚 | 申请(专利权)人: | 昆明鼎邦科技股份有限公司 |
主分类号: | C01G30/00 | 分类号: | C01G30/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 650033 云南省昆明市五华区学*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 硫化锑 制备 方法 | ||
1.一种高纯硫化锑的制备方法,其特征在于,包括步骤:
将硫化锑精矿或低纯硫化锑置于真空炉中,在温度为900~1200℃,真空度为5~50Pa条件下进行第一次蒸馏,在此温度下,沸点低于硫化锑的杂质以及硫化锑同时挥发,高沸点的杂质不挥发,通过控制真空蒸馏和冷凝的条件,收集得到仅含低沸点杂质的硫化锑,所述含低沸点杂质的硫化锑为Sb2S3、Sb、S以及低沸点杂质;挥发物冷凝的条件为冷凝距离30~100cm,冷凝温度100~250℃;
将所述含低沸点杂质的硫化锑置于真空炉中,并配入硫磺,常压下在第二温度条件下将收集得到的硫化锑进行匀化和再合成,然后在真空条件下进行第二次蒸馏进行除杂,在此温度下,沸点低于硫化锑的杂质挥发而硫化锑不挥发,得到高纯硫化锑;
所述第二温度为560~600℃,常压下完成物料的匀化后,抽真空至真空度为5~50Pa,在630~700℃进行二次除杂;
其中,所述低纯硫化锑的制备为锑合金经过硫磺硫化后制得,其步骤包括:
将锑合金颗粒与硫磺混合加热至300~700℃进行硫化,制得低纯硫化锑;或者将锑合金加热融化后,再通入硫蒸汽进行硫化,制得低纯硫化锑;或将锑颗粒和硫磺混合后放入无氧密闭容器中,升温至320-400℃并搅拌,使所述锑颗粒与所述硫磺发生第一阶段反应;在无氧及搅拌条件下继续升温至550-650℃制得低纯硫化锑;
所述低纯硫化锑的成分包括Sb2S3、S、Sb、In、Cu、As、Pb、Bi、As2S3、Sb2S3、PbS、ZnS、Cu2S和FeS;
所述硫化锑精矿的成分包括Sb2S3、As2S3、S、Sb2O3、PbS、FeS、ZnS和脉石成份;
所述高纯硫化锑的纯度大于99.9%。
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