[发明专利]光子晶体变色装置、变色方法、壳体、电子设备

权利要求书

1.一种光子晶体变色装置，其特征在于，包括：

相对设置的第一衬底以及第二衬底，以及位于所述第一衬底和所述第二衬底之间的第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层之间设置有密封胶，所述密封胶在所述第一导电层和所述第二导电层之间限定出密封的容纳空间，所述容纳空间中具有光子晶体变色层，所述光子晶体变色层包括层叠设置的光子晶体亚层和电解质亚层，所述光子晶体亚层包括光子晶体介质和多个间隔分布在所述光子晶体介质中的光子晶体颗粒，其中，所述光子晶体亚层的颜色可随着所述第一导电层以及所述第二导电层之间的电压的改变而改变。

2.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述第一衬底以及所述第二衬底为硬质衬底或柔性衬底，形成所述第一衬底以及所述第二衬底的材料包括玻璃、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯的至少之一。

3.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，形成所述第一导电层以及所述第二导电层的材料包括：氧化铟锡、掺氟的氧化锡、掺铝的氧化锌的至少之一。

4.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述光子晶体颗粒的粒径为50-500nm。

5.根据权利要求4所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述光子晶体颗粒包括：二氧化硅纳米微球、聚苯乙烯纳米微球、二氧化硅包裹的硫化锌纳米微球、二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米微球的至少之一。

6.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，形成所述光子晶体介质的材料包括：聚二茂铁硅烷。

7.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述光子晶体变色层的厚度为10-200μm。

8.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述光子晶体亚层的厚度为1-30μm。

9.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述电解质层包括基底以及电解质盐，所述电解质盐包括锂盐、钠盐、季铵盐的至少之一；

任选地，形成所述锂盐的材料包括：高氯酸锂、三氟甲磺酸锂的至少之一；形成所述钠盐的材料包括氯化钠、高氯酸钠的至少之一；形成所述季铵盐的材料包括四丁基高氯酸铵、四丁基氟硼酸铵的至少之一；

任选地，所述电解质层为液态或凝胶态。

10.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，所述光子晶体变色层进一步包括：

隔垫物，所述隔垫物设置在所述容纳空间中，所述隔垫物的高度和所述第一导电层和所述第二导电层之间的距离相等；

任选地，形成所述隔垫物的材料包括：二氧化硅微球、透明光阻材料的至少之一。

11.根据权利要求1所述的光子晶体变色装置，其特征在于，进一步包括：

柔性电路板，所述柔性电路板的一端和所述第一导电层、所述第二导电层电连接，所述柔性电路板的另一端用于和控制电路电连接。

12.一种控制权利要求1-11任一项所述的光子晶体变色装置进行变色的方法，其特征在于，包括：

通过第一导电层和第二导电层向光子晶体变色层施加电压；

光子晶体亚层中的光子晶体介质在所述电压作用下发生氧化还原反应，所述光子晶体介质的体积发生变化，所述光子晶体亚层中的多个光子晶体颗粒之间的间距发生变化，所述光子晶体亚层的颜色发生改变。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电压包括0-10V的直流电压。

14.一种壳体，其特征在于，所述壳体包括权利要求1-11任一项所述的光子晶体变色装置。