[发明专利]一种环氧封装微型二极管及制作工艺有效
申请号: | 201911403212.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN110970298B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 刘德军;闫义奇;丁晓宏;张开云;迟鸿燕;杨春梅 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 微型 二极管 制作 工艺 | ||
1.一种环氧封装微型二极管的制作工艺,其步骤为:
1)管芯制作:按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯;
2)引线加工:用具有弹性的金属丝制作引线;
3)管芯装配:使用引线将管芯夹紧在引线之间;
4)引线焊接:将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却;
5)腐蚀:使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化;
6)台面钝化:在管芯上涂上硅橡胶;
7)封装:使用环氧树脂涂覆管芯后固化;
8)引线正负极分离:将引线中部剪开,加工完成;
所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触;
所述步骤4)中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1~3秒,然后取出冷却1~3秒;
所述步骤5)中酸腐蚀采用酸腐蚀液,酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按体积比1.2:1:1:2:2的混合溶液;
所述步骤5)中碱腐蚀采用碱腐蚀液,碱腐蚀液为3%~6%的氢氧化钾溶液,其碱腐蚀温度为58~98℃;
所述步骤5)中钝化采用钝化液,钝化液按质量百分比是≥30%的双氧水、≥85%的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液;
所述步骤5)中清洗采用清洗液,清洗剂按质量百分比是65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸按体积比8:2:2:5的混合溶液;
所述步骤6)中固化采用低温固化,低温成型的升温速率10~15℃/min,升温时间45~65min,烧结温度600~680℃,恒温时间5~40min,降温速率≤5℃/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造