[发明专利]一种使用SOI圆片制作MEMS驱动臂的方法在审

专利信息
申请号: 201911402850.3 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113120847A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 王鹏;黄兆兴;谢会开 申请(专利权)人: 无锡微奥科技有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 代理人: 赵华
地址: 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用 soi 制作 mems 驱动 方法
【说明书】:

一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法,包括如下步骤:步骤1)、选择SOI圆片作为衬底1;步骤2)、对顶硅层1‑3进行离子掺杂形成低阻硅,作为加热电阻层4;步骤3)、在加热电阻层4上制作绝缘材料作为绝缘层5;步骤4)、在绝缘层5上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层6;步骤5)、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1‑2;步骤6)、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀;最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作,其中步骤5)和步骤6)可以互换。优点:硅既作为结构层的同时,又作为加热层,免除了还要做加热层的麻烦,采用离子注入的方法制作加热层,简化了电热式MEMS驱动臂的加热层的工艺步骤,提供了效率。

技术领域

发明涉及的是一种使用SOI圆片制作MEMS驱动臂的方法及电热式MEMS驱动臂,属于微机械电子系统领域。

背景技术

基于热双层材料(Bimorph)结构的电热式MEMS驱动臂通过对导电回路层(加热层)施加电压产生的焦耳热对器件结构进行驱动,具有大转角、大位移、低驱动电压等优点。现有电热MEMS器件加热层的制作工艺(如CN106066535A、CN104020561B)只能在Bimorph结构层中生长导电金属薄膜层并对导电金属薄膜层进行绝缘包裹,该工艺需要累积制备多层薄膜,引入了多层薄膜的应力、厚度、氧化、扩散等不可控因素,增加了制作器件的工艺难度,恶化了器件的工艺一致性和结构稳定性。

现有电热式MEMS驱动臂的结构主要包括四层结构,从上到下一次是第一结构层、绝缘层、加热层和第二结构层,制作上述MEMS驱动臂较为复杂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何简化制作电热式MEMS驱动臂的加热层工艺,提高加热层工艺一致性和稳定性的技术问题。

本发明采用的技术方案:一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法,该电热式MEMS驱动臂包括加热电阻层4、第一结构层6、第二结构层7、第一结构层6与第二结构层7之间的绝缘层5,其特征在于包括如下步骤:

步骤1)、选择SOI圆片作为衬底1,该SOI圆片包括底硅层1-1、氧埋层1-2和顶硅层1-3;

步骤2)、对顶硅层1-3进行离子掺杂形成低阻硅,作为加热电阻层4,该加热电阻层4同时作为第二结构层7;

步骤3)、在加热电阻层4上制作绝缘材料作为绝缘层5;

步骤4)、在绝缘层5上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层6;

步骤5)、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1-2,再去除氧埋层1-2;

步骤6)、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀;

最终释放该电热式MEMS驱动臂,完成该电热式MEMS驱动臂的制作,其中步骤5)和步骤6)可以互换。

步骤1)中所述SOI圆片的顶硅层1-3是低阻硅。

一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法,该电热式MEMS驱动臂包括加热电阻层4、第一结构层6和第二结构层7,其特征在于包括如下步骤:

步骤1)、选择SOI圆片作为衬底1,该SOI圆片包括底硅层1-1、氧埋层1-2和顶硅层1-3;

步骤2)、对顶硅层1-3进行离子掺杂形成低阻硅,作为加热电阻层4,该加热电阻层4同时作为第二结构层7;

步骤3)、在加热电阻层4上制作高热膨胀系数的绝缘材料作为第一结构层6;

步骤4)、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1-2,再去除氧埋层1-2;

步骤5)、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀;

最终释放该电热式MEMS驱动臂,完成该电热式MEMS驱动臂的制作,其中步骤4)和步骤5)可以互换。

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