[发明专利]一种单向浪涌保护器件及制造方法

权利要求书

1.一种单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一第一导电类型衬底；

步骤S2，于所述衬底上生长第一导电类型外延层；

步骤S3，于所述外延层上制作一氧化层；

步骤S4，在氧化层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成第一窗口；

步骤S5，通过第一窗口对所述外延层进行离子注入，形成第一导电类型的第一掺杂区；

步骤S6，去除并重新涂覆光刻胶，并通过光刻工艺形成第二窗口；

步骤S7，通过第二窗口对所述外延层进行离子注入，形成第二导电类型的第二掺杂区；

步骤S8，去除并重新涂覆光刻胶，通过光刻工艺定义隔离槽的位置；

步骤S9，通过干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以暴露对应于所述隔离槽位置处的所述外延层；

步骤S10，去除光刻胶，并以所述氧化层为硬掩膜对所述外延层进行刻蚀，以形成所述隔离槽，所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽环绕所述第一掺杂区设置，所述第二隔离槽设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且环绕所述第二掺杂区设置。

步骤S11，去除所述氧化层，并在所述外延层的顶层沉积TEOS，使TEOS填充满所述隔离槽；

步骤S12，通过光刻工艺定义第一接触孔和第二接触孔的位置，并通过湿法刻蚀工艺去除第一接触孔和第二接触孔中的TEOS，以将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区暴露；

步骤S13，在所述浪涌保护器件的表面沉积金属层，并对浪涌保护器件背面的金属层进行减薄处理。

2.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述第一隔离槽贯穿所述衬底层和所述外延层。

3.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述第二隔离槽贯穿所述衬底层和所述外延层。

4.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂区为第一导电类型重掺杂。

5.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂区为第二导线类型重掺杂。

6.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述外延层为轻掺杂。

7.根据权利要求1所述的单向浪涌保护器件的制造方法，其特征在于，所述衬底层为轻掺杂。

8.一种单向浪涌保护器件，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底层；

第一导电类型外延层，生长于所述衬底层的上表面，所述外延层上表面形成有第一导电类型第一掺杂区和第二导电类型第二掺杂区，所述第一掺杂区环绕所述第二掺杂区设置；

保护层，生长于所述外延层的上表面，所述保护层上设有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔用于将所述第一掺杂区暴露，所述第二接触孔用于将所述第二掺杂区暴露；

所述保护层上表面和所述接触孔内形成有第一金属层，所述第一金属层将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区短接；

所述第一导电类型衬底层的下表面形成有第二金属层。

9.根据权利要求8所述的单向浪涌保护器件，其特征在于，还包括：

隔离槽，所述隔离槽贯穿所述衬底层和所述外延层，所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽环绕所述第一掺杂区设置，所述第二隔离槽设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且环绕所述第二掺杂区设置。

10.根据权利要求8所述的单向浪涌保护器件，其特征在于，所述隔离槽内填充TEOS。