[发明专利]一种吡咯基酮光引发体系及应用有效
| 申请号: | 201911401654.4 | 申请日: | 2019-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN111072796B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 聂俊;汤立群;朱晓群;李三保 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学;安庆北化大科技园有限公司 |
| 主分类号: | C08F2/50 | 分类号: | C08F2/50;C08G59/68;G03F7/004;C07D207/333;C07D405/06;C07D409/06;C07F17/02 |
| 代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 叶濛濛 |
| 地址: | 100028 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 吡咯 基酮光 引发 体系 应用 | ||
1.一种吡咯基酮光引发体系,其特征在于:包括光敏剂和光引发剂,所述光敏剂为吡咯基酮,所述光引发剂为鎓盐类;
所述吡咯基酮的结构通式如下所示:
其中,R1-30取代基团为-CnHn+1或H或卤素取代基:-F、-Cl、-Br、-I;或含O的取代基:-CHO、-COOH、-OH、-CH2OCH3;或含N的取代基-NH2、-NO2、-CN,或含S的取代基:-HS、-SO3H或芳烃,烯烃,炔烃整链或支链。
2.根据权利要求1所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述R5、R9、R15、R20还具有以下基团:
3.根据权利要求1所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述吡咯基酮的反应式如下:
4.根据权利要求1所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述吡咯基酮的制备方法包括以下步骤:将无α-H的醛和含有α-H的酮类物质加入有机试剂中,使用弱碱为催化剂,在氮气气氛中避光进行加热反应后,采用冰水浴静置10min,析出淡黄色粗产物,采用去离子水洗涤粗产物后真空干燥,使用有机溶剂溶剂重结晶得到产物。
5.根据权利要求1所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述鎓盐类包括碘鎓盐类或硫鎓盐类。
6.根据权利要求4所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:在氮气气氛中避光于50-60℃加热反应1h。
7.根据权利要求4所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述弱碱为1mol/L的NaOH水溶液或醇钠水溶液。
8.根据权利要求1所述的吡咯基酮光引发体系,其特征在于:所述光敏剂与光引发剂的质量比为0.5-5:1-10。
9.一种采用权利要求1-8中任一项所述的吡咯基酮光引发体系在涂料、油墨、胶粘剂、光刻胶、3D打印中的应用。
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