[发明专利]智能高精度双调自动控制箱在审

专利信息
申请号: 201911400897.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111162704A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 李虎 申请(专利权)人: 武汉华意电力科技有限公司
主分类号: H02P13/00 分类号: H02P13/00;H02P5/00
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 代婵
地址: 430223 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 智能 高精度 自动 控制箱
【权利要求书】:

1.一种智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:包括电源电路、第一主控芯片、粗调调压器和细调调压器,所述电源电路用于给整个控制箱供电,所述粗调调压器的电机与第一主控芯片之间设有第一电机控制模块,所述细调调压器的电机与第一主控芯片之间设有第二电机控制模块,所述细调调压器的输出端设有细调变压器,所述细调变压器的输出端与粗调调压器的输出端串联。

2.根据权利要求1所述的智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:第一电机控制模块包括第一可控硅驱动芯片IC1和第二可控硅驱动芯片IC2以及第一可控硅芯片Q1和第二可控硅芯片Q2,所述第一主控芯片用于输出控制信号控制第一可控硅驱动芯片IC1、第二可控硅驱动芯片IC2的导通或断开,所述第一可控硅驱动芯片IC1、第二可控硅芯片Q2用于分别驱动第一可控硅芯片Q1、第二可控硅芯片Q2导通或断开,控制粗调调压器的电机的正反转,控制粗调调压器升压或降压;所述第一电机控制模块与第二电机控制模块的结构相同。

3.根据权利要求2所述的智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:粗调调压器的上限限位开关S1串联在第一可控硅驱动芯片IC1的输入端的供电回路上;粗调调压器的下限限位开关S2串联在第二可控硅驱动芯片IC2的输入端的供电回路上。

4.根据权利要求3所述的智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:第一电机控制模块还包括第二光耦O2和第三光耦O3,第二光耦O2的第一输入端与电压VCC连接,第二光耦O2的第二输入端经电阻R21与第一主控芯片的第一输出端连接,第二光耦O2的第一输出端接地,第二光耦O2的第二输出端分别与电阻R17的一端、第一可控硅驱动芯片IC1的第一输入端连接,电阻R17的另一端连接12V电压,第一可控硅驱动芯片IC1的第二输入端经粗调调压器的上限限位开关S1连接12V电压,第一可控硅驱动芯片IC1的第一输出端分别与第一可控硅芯片Q1的一端、粗调调压器的电机接口JP7的第一端口连接,第一可控硅驱动芯片IC1的第二输出端与电阻R22的一端、第一可控硅芯片Q1的控制端连接,电阻R22的另一端、第一可控硅芯片Q1的另一端连接电压LIN;

第三光耦O3的第一输入端与电压VCC连接,第三光耦O3的第二输入端经电阻R27与第一主控芯片的第二输出端连接,第三光耦O3的第一输出端经粗调调压器的下限限位开关S2接地,第三光耦O3的第二输出端分别与电阻R24的一端、第二可控硅驱动芯片IC2的第一输入端连接,电阻R24的另一端连接12V电压,第二可控硅驱动芯片IC2的第二输入端连接12V电压,第二可控硅驱动芯片IC2的第一输出端分别与第二可控硅芯片Q2的一端、粗调调压器的电机接口JP7的第三端口连接,第二可控硅驱动芯片IC2的第二输出端与电阻R28的一端、第二可控硅芯片Q2的控制端连接,电阻R28的另一端、第二可控硅芯片Q2的另一端连接电压LIN。

5.根据权利要求4所述的智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:第一电机控制模块还包括电阻R18、电阻R25和电容C13、电容C14,电阻R18的一端与第一可控硅驱动芯片IC1的第一输出端、第一可控硅芯片Q1的一端连接,电阻R18的另一端与电容C13的一端连接,电容C13的另一端与第一可控硅芯片Q1的另一端连接;电阻R25的一端与第二可控硅驱动芯片IC2的第一输出端、第二可控硅芯片Q2的一端连接,电阻R25的另一端与电容C14的一端连接,电容C14的另一端与第二可控硅芯片Q2的另一端连接。

6.根据权利要求3或4所述的智能高精度双调自动控制箱,其特征在于:第一电机控制模块还包括第一光耦O1和第四光耦O4,第一光耦O1的第一输入端经粗调调压器的上限限位开关连接12V,第一光耦O1的第二输入端接地,第一光耦O1的第一输出端与第一主控芯片的第一输入端连接,第一光耦O1的第一输出端经电阻R13连接电压VCC,第一光耦O1的第二输出端接地;第四光耦O4的第一输入端连接12V,第四光耦O4的第二输入端经经粗调调压器的上限限位开关接地,第四光耦O4的第一输出端与第一主控芯片的第二输入端连接,第四光耦O4的第一输出端经电阻R33连接电压VCC,第四光耦O4的第二输出端接地。

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