[发明专利]一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管

说明书

本发明公开了一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，量子点材料包括量子点以及结合在所述量子点表面的双吡啶双酰胺类化合物。本发明选取双吡啶双酰胺类化合物作为量子点的配体，其吡啶基团和酰胺基团可为量子点表面提供更多潜在的配位点，使得量子点和配体之间的结合更牢固；所述吡啶基团中的N‑H氢键供体和酰胺基团中的C＝O氢键受体有助于氢键的形成，有利于量子点胶体溶液稳定性；另外提供配位点的吡啶环增大了量子点之间的空间位阻，减弱了量子点之间的能量传递，有助于电子和空穴的有效复合，从而可以达到量子点发光效率和电学传输的平衡，提高QLED的发光性能。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，使得现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。

量子点的表面配体对QLED的影响较大，常见的配体如三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、硬脂酸、油胺、巯基乙酸、巯基丙酸等，这些配体作为量子点的表面封端剂，能够减少量子点表面缺陷以提高量子点的发光效率，然而这些配体与量子点存在结合能力弱、形成的量子点胶体溶液稳定性差、进而会影响QLED器件的性能。另外，在量子点薄膜中，这些表面配体分子决定了量子点之间的空间距离，并影响该层膜的光电学特性。配体分子的链越长，其成膜后量子点之间的空间距离会越大，因此量子点之间的能量传递会相对较小，从而使得量子点膜(即量子点发光层)能够保持较高的荧光效率。

然而，对于量子点发光二极管器件，量子点之间的空间距离较大会影响载流子在量子点膜中的传输，从而影响器件的电流和亮度。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管，旨在解决由于现有量子点表面与配体结合不牢固，量子点胶体溶液稳定性较差，以及量子点发光二极管发光性能差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点材料，其中，包括量子点以及结合在所述量子点表面的双吡啶双酰胺类化合物。

一种量子点材料的制备方法，其中，包括步骤：

提供一种初始量子点，所述初始量子点表面结合有初始配体；

将所述初始量子点与双吡啶双酰胺类化合物分散在有机溶剂中，混合使所述双吡啶双酰胺类化合物与初始量子点表面的初始配体发生交换反应，得到所述量子点材料。

一种量子点发光二极管，其中，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的发光层，所述发光层材料为量子点材料，所述量子点材料包括量子点以及结合在所述量子点表面的双吡啶双酰胺类化合物。

有益效果：本发明选取双吡啶双酰胺类化合物作为量子点的配体，所述双吡啶双酰胺类化合物中的吡啶基团和酰胺基团可为量子点表面提供更多潜在的配位点，使得量子点和配体之间的结合更牢固；所述吡啶基团中的N-H氢键供体和酰胺基团中的C＝O氢键受体有助于氢键的形成，从而构筑超分子结构，有利于量子点胶体溶液稳定性；另外提供配位点的吡啶环增大了量子点之间的空间位阻，减弱了量子点之间的能量传递，有助于电子和空穴的有效复合，从而可以达到量子点发光效率和电学传输的平衡，提高QLED的发光性能。

附图说明

图1为本发明一种量子点材料的制备方法较佳实施例的流程图。

图2为本发明实施例1中量子点与配体的结合示意图。

具体实施方式