[发明专利]封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，所述器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，所述半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在所述有源区的位置处围成空腔，所述输入/输出电极区的输入/输出电极位于所述空腔的外侧，其中，所述晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；

利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成多个分立的且与所述半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，所述芯片级覆盖基板露出所述输入/输出电极区的输入/输出电极，且所述芯片级覆盖基板的侧壁与所述芯片级覆盖基板背向所述器件晶圆的表面的夹角呈钝角；

形成互连层，所述互连层保形覆盖所述输入/输出电极区的输入/输出电极的表面、所述键合层和芯片级覆盖基板的侧壁、以及所述芯片级覆盖基板的部分顶面。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述晶圆级覆盖基板与所述器件晶圆的衬底的材料相同。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述键合层使所述晶圆级覆盖基板和所述器件晶圆相结合后，利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理之前，所述制造方法还包括：将所述器件晶圆贴附于胶膜层上；

利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理后，形成所述互连层之前，所述制造方法还包括：去除所述胶膜层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述互连层的步骤包括：形成种子层，所述种子层保形覆盖所述晶圆级覆盖基板露出的器件晶圆表面、所述键合层的侧壁、以及所述芯片级覆盖基板的侧壁和顶面；

在所述种子层上形成光刻胶层，所述光刻胶层内形成有图形开口，所述图形开口露出位于所述输入/输出电极区的输入/输出电极表面、所述键合层和芯片级覆盖基板的侧壁、以及所述芯片级覆盖基板的部分顶面的种子层；

在所述图形开口露出的所述种子层上形成互连层；

去除所述光刻胶层；

去除所述光刻胶层后，去除所述互连层露出的所述种子层。

5.如权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理后，所述芯片级覆盖基板的侧壁与所述芯片级覆盖基板背向所述器件晶圆的表面的夹角为120度至150度。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述软刀的材料包括金刚石。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述金刚石的颗粒粒径为1微米至3微米。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述软刀的刀刃角度为30度至60度。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理的步骤中，所述切割处理的工艺参数包括：切割速度为5mm/s至15mm/s，轴转速为10000rpm至30000rpm。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述切割处理的纵向进刀量大于所述晶圆级覆盖基板的厚度，且所述切割处理的纵向进刀量与所述晶圆级覆盖基板的厚度的差值为5微米至10微米。

11.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述胶膜层包括UV胶膜。

12.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成所述种子层，采用电镀工艺形成所述互连层。