[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管动态测试装置在审
| 申请号: | 201911398926.X | 申请日: | 2019-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN111025120A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 沈向辉 | 申请(专利权)人: | 太仓市晨启电子精密机械有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人: | 罗磊 |
| 地址: | 215435 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 动态 测试 装置 | ||
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管动态测试装置,包括:机架、供料组件、送料组件、测试组件和收料组件,供料组件、送料组件、测试组件和收料组件均设置在机架上,供料组件和收料组件分别设置在机架的相对两端,送料组件沿机架的长度方向设置,且送料组件位于供料组件和收料组件之间,送料组件用于运送供料组件内的工件,测试组件设置在送料组件的一侧。本发明相较于现有技术可以提高测试效率和测试准确度,从而达到体高生产效率,进而提高经济效益的目的,可以实现对器件的大电流(200‑300A)在线测试。
技术领域
本发明涉及一种测试装置,具体而言,涉及一种绝缘栅双极型晶体管动态测试装置。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
绝缘栅双极型晶体管在生产完成后需要进行一系列的测试以确保其各种性能达标,由于测试的种类多导致工作人员测试效率低下,同时测试不准确,导致产生严重的生产事故,因此需要一种适用于绝缘栅双极型晶体管的辅助测试装置以提高测试效率和测试准确度。
发明内容
鉴于此,本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管动态测试装置,可以以提高测试效率和测试准确度,从而达到体高生产效率,进而提高经济效益的目的。
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管动态测试装置,包括:机架、供料组件、送料组件、测试组件和收料组件,供料组件、送料组件、测试组件和收料组件均设置在机架上,供料组件和收料组件分别设置在机架的相对两端,送料组件沿机架的长度方向设置,且送料组件位于供料组件和收料组件之间,送料组件用于运送供料组件内的工件,测试组件设置在送料组件的一侧。
进一步地,上述供料组件包括放置工件的入料面板,入料面板上设置有出料口,入料面板靠近出料口一侧设置有纵向驱动马达,纵向驱马达上连接有推杆,纵向驱动马达驱动推杆将工件推出出料口,入料面板底部设置有横向驱动马达,横向驱动马达驱动入料面板横向移动。
进一步地,上述送料组件包括多组沿机架长度方向设置的直线导轨,直线导轨上安装有升降气缸,多组直线导轨顶部连接有移料轨道,移料轨道下方设置有移送滑板,移送滑板的端部设置驱动工件移动的水平驱动马达。
进一步地,上述测试组件4包括两平行设置的测试单元,测试单元包括第一导轨,第一导轨的一端部设置有移料升降缸,第一导轨的另一端部设置有移料马达,第一导轨的一侧滑动连接有滑座,移料马达驱动滑座前后移动,滑座上连接有移料夹爪缸,移料夹爪缸上连接有夹爪,夹爪下方设置有测试台416,测试台用于测试工件。
进一步地,上述测试台靠近移料升降缸的一侧设置有降料盒,降料盒的端部连接有降料气缸,降料气缸带动降料盒上下移动。
进一步地,上述收料组件包括对称设置的两收料盒,收料盒上开设有进料口。
进一步地,上述机架1内安装有配电板7。
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